講演名 | 2000/3/13 VTCMOSにおける基板バイアス係数と基板電位の最適条件とそのスケーリング 小宇羅 寛, 高宮 真, 犬飼 貴士, 平本 俊郎, |
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抄録(和) | Variable Threshold CMOS (VTCMOS)の特性に基板バイアス係数γ、基板電位V_〈bs〉が及ぼす影響をシミュレーションにより求め、スタンバイ電流が一定の時、最も駆動力が大きくなる条件について考察した。γ一定(デバイス固定)の時、駆動力を最大にするにはV_〈bs〉を耐圧限界まで変化させると良い。一方、耐圧等で|ΔV_〈bs〉|の上限が決まっている時は、駆動力を最大にするγの値は V_〈bs〉の値に依存する。またVTCMOSのscalabilityについてシミュレーション、実測双方から考察した。|V_〈bs〉|の値を大きくするとBTBT(Band-to-Band-Tunneling)電流が流れる為VTCMOSの基板電位の値にはスタンバイ時のオフ電流を最小にする最適値が存在する。VTCMOSの技術を最大限に生かすにはBTBT電流を抑えることが必要であることが明らかになった。 |
抄録(英) | The effects of a body effect factor (γ) and substrate bias (V_ |
キーワード(和) | VTCMOS / 基板バイアス係数 / 基板電位 / 駆動力 / 耐圧 / BTBT |
キーワード(英) | VTCMOS / body effect factor / substrate bias / drive-current / breakdown voltage / BTBT |
資料番号 | SDM99-228 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2000/3/13(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | VTCMOSにおける基板バイアス係数と基板電位の最適条件とそのスケーリング |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Optimum Conditions of Body Effect Factor and Substrate Bias in Variable Threshold Voltage MOSFETs(VTCMOS)and its Scalability |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | VTCMOS / VTCMOS |
キーワード(2)(和/英) | 基板バイアス係数 / body effect factor |
キーワード(3)(和/英) | 基板電位 / substrate bias |
キーワード(4)(和/英) | 駆動力 / drive-current |
キーワード(5)(和/英) | 耐圧 / breakdown voltage |
キーワード(6)(和/英) | BTBT / BTBT |
第 1 著者 氏名(和/英) | 小宇羅 寛 / Hiroshi Koura |
第 1 著者 所属(和/英) | 東京大学 生産技術研究所 Institute of Industrial Science, the University of Tokyo |
第 2 著者 氏名(和/英) | 高宮 真 / Makoto Takamiya |
第 2 著者 所属(和/英) | 東京大学 生産技術研究所 Institute of Industrial Science, the University of Tokyo |
第 3 著者 氏名(和/英) | 犬飼 貴士 / Takashi Inukai |
第 3 著者 所属(和/英) | 東京大学 生産技術研究所 Institute of Industrial Science, the University of Tokyo |
第 4 著者 氏名(和/英) | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto |
第 4 著者 所属(和/英) | 東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター VLSI Design and Education Center, the University of Tokyo |
発表年月日 | 2000/3/13 |
資料番号 | SDM99-228 |
巻番号(vol) | vol.99 |
号番号(no) | 681 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 8 |
発行日 |