講演名 2000/3/13
VTCMOSにおける基板バイアス係数と基板電位の最適条件とそのスケーリング
小宇羅 寛, 高宮 真, 犬飼 貴士, 平本 俊郎,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) Variable Threshold CMOS (VTCMOS)の特性に基板バイアス係数γ、基板電位V_〈bs〉が及ぼす影響をシミュレーションにより求め、スタンバイ電流が一定の時、最も駆動力が大きくなる条件について考察した。γ一定(デバイス固定)の時、駆動力を最大にするにはV_〈bs〉を耐圧限界まで変化させると良い。一方、耐圧等で|ΔV_〈bs〉|の上限が決まっている時は、駆動力を最大にするγの値は V_〈bs〉の値に依存する。またVTCMOSのscalabilityについてシミュレーション、実測双方から考察した。|V_〈bs〉|の値を大きくするとBTBT(Band-to-Band-Tunneling)電流が流れる為VTCMOSの基板電位の値にはスタンバイ時のオフ電流を最小にする最適値が存在する。VTCMOSの技術を最大限に生かすにはBTBT電流を抑えることが必要であることが明らかになった。
抄録(英) The effects of a body effect factor (γ) and substrate bias (V_) in VTCMOS have been examined by a device simulation. When γ is fixed, |ΔV_| should be as large as the breakdown and leakage current permits to make drive-current maximum. When ΔV_ is fixed by some reasons, such as the breakdown, the optimum γ depends on the value of ΔV_. The scalability of VTCMOS is also discussed. Due to BTBT(Band-to Band-Tunneling) current, there is the optimum substrate bias where the off-current in the standby mode is minimum. BTBT should be suppressed to use VTCMOS.
キーワード(和) VTCMOS / 基板バイアス係数 / 基板電位 / 駆動力 / 耐圧 / BTBT
キーワード(英) VTCMOS / body effect factor / substrate bias / drive-current / breakdown voltage / BTBT
資料番号 SDM99-228
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2000/3/13(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) VTCMOSにおける基板バイアス係数と基板電位の最適条件とそのスケーリング
サブタイトル(和)
タイトル(英) Optimum Conditions of Body Effect Factor and Substrate Bias in Variable Threshold Voltage MOSFETs(VTCMOS)and its Scalability
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) VTCMOS / VTCMOS
キーワード(2)(和/英) 基板バイアス係数 / body effect factor
キーワード(3)(和/英) 基板電位 / substrate bias
キーワード(4)(和/英) 駆動力 / drive-current
キーワード(5)(和/英) 耐圧 / breakdown voltage
キーワード(6)(和/英) BTBT / BTBT
第 1 著者 氏名(和/英) 小宇羅 寛 / Hiroshi Koura
第 1 著者 所属(和/英) 東京大学 生産技術研究所
Institute of Industrial Science, the University of Tokyo
第 2 著者 氏名(和/英) 高宮 真 / Makoto Takamiya
第 2 著者 所属(和/英) 東京大学 生産技術研究所
Institute of Industrial Science, the University of Tokyo
第 3 著者 氏名(和/英) 犬飼 貴士 / Takashi Inukai
第 3 著者 所属(和/英) 東京大学 生産技術研究所
Institute of Industrial Science, the University of Tokyo
第 4 著者 氏名(和/英) 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto
第 4 著者 所属(和/英) 東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター
VLSI Design and Education Center, the University of Tokyo
発表年月日 2000/3/13
資料番号 SDM99-228
巻番号(vol) vol.99
号番号(no) 681
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日