| 講演名 | 2000/3/9 強誘電体キャパシタにおける分極減衰・ヒステリシス歪曲の温度依存性 嶋田 恭博, 野間 淳史, 大槻 達男, |
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| 抄録(和) | 強誘電体キャパシタにおける分極減衰およびヒステリシス歪曲への保存温度の影響について、いくつかの温度条件下での分極保持期間前後のヒステリシス曲線の形状を比較することによって調べた。これらの結果から、分極減衰およびヒステリシス歪曲が長時間にわたっておこる過程を、いずれもエネルギーギャップに分布したトラップ準位から放出された電子が特定のトラップ準位に捕獲されて分極電荷を補償するかまたは分極反転を阻止するメカニズムによって包括的に説明した。 |
| 抄録(英) | Influence of storage temperatures on the polarization decay and hysteresis distortion in ferroelectric capacitors was studied by making polarization measurements on poled ferroelectric capacitors before and after storing for selected periods of time. From these results, a comprehensive model which can describe the polarization decay and hysteresis distortion processes was deduced by considering electron emission from trap levels distributed in the energy gap and subsequent capture of these electrons by specific traps to compensate and/or screen the polarization charge or to pin the reversal of polarization. |
| キーワード(和) | 強誘電体 / 不揮発メモリ / リテンション / インプリント |
| キーワード(英) | ferroelectric / nonvolatile memory / retention / imprint |
| 資料番号 | ED99-330,SDM99-223 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2000/3/9(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 強誘電体キャパシタにおける分極減衰・ヒステリシス歪曲の温度依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Temperature Dependence of Polarization Decay and Hysteresis Distortion in Ferroelectric Capacitors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 強誘電体 / ferroelectric |
| キーワード(2)（和/英） | 不揮発メモリ / nonvolatile memory |
| キーワード(3)（和/英） | リテンション / retention |
| キーワード(4)（和/英） | インプリント / imprint |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 嶋田 恭博 / Y Shimada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 野間 淳史 / A Noma |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大槻 達男 / T Otsuki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Matsushita Electronics Corporation |
| 発表年月日 | 2000/3/9 |
| 資料番号 | ED99-330,SDM99-223 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 673 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |