| 講演名 | 2000/3/9 Bi_2SiO_5/Si構造の作成とその評価 平木 康嗣, 山口 正樹, 長友 隆男, 増田 陽一郎, |
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| 抄録(和) | ビスマス層状構造強誘電体の形成におけるバッファ層として期待されるビスマスシリケート薄膜をシリコン基板上に高周波マグネトロンスパッタリング法および有機金属成長法により形成し、ビスマスシリケート/シリコン構造について検討を行なった。堆積した薄膜は製膜方法によらずc軸単一配向した。有機金属成長法により形成した薄膜には1～2%程度の残留炭素が含まれる。一方、スパッタ膜中には炭素は含まれず、漏れ電流密度が10~<12> cm~<-2>程度と低く、界面準位密度は6×10~<11> A cm~<-2>eV~<-1>程度である。 |
| 抄録(英) | Bismuth silicate (Bi_2SiO_5) films, expected as the buffer layer between the Bismuth Layer-Structured Ferroelectrics (BLSF) and silicon substrate, were prepared n (100)-oriented silicon wafers by rf magnetron sputtering and metal-organic deposition methods. The c-axis-oriented Bi_2SiO_5 films obtained both deposition techniques. The carbon atoms were exists approximately 1-2 atom.% in the films by metal-organic deposition. On the other hand, the sputtered films were not include the carbon atoms, and have lower leakage current density of approximately 10~<11> A cm~2 and the interface trap density of 6x10~<12> cm~<-2> eV~<-1>. |
| キーワード(和) | ビスマスシリケート / スパッタリング法 / 有機金属成長法 / ビスマスシリケート/シリコン構造 / 薄膜 |
| キーワード(英) | Bismuth silicate / sputtering method / metal-organic deposition method / bismuth silicate/silicon structures / thin films |
| 資料番号 | ED99-327,SDM99-220 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2000/3/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Bi_2SiO_5/Si構造の作成とその評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation and Properties of Bi_2SiO_5/Si Structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ビスマスシリケート / Bismuth silicate |
| キーワード(2)（和/英） | スパッタリング法 / sputtering method |
| キーワード(3)（和/英） | 有機金属成長法 / metal-organic deposition method |
| キーワード(4)（和/英） | ビスマスシリケート/シリコン構造 / bismuth silicate/silicon structures |
| キーワード(5)（和/英） | 薄膜 / thin films |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 平木 康嗣 / Kouji Hiraki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 工学部 電気工学科 Department of Electrical Engineering, Shibaura Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山口 正樹 / Masaki Yamaguchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 工学部 電気工学科 : 芝浦工業大学 先端工学研究機構 Department of Electrical Engineering, Shibaura Institute of Technology : Research Organization for Advanced Engineering, Shibaura Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 長友 隆男 / Takao Nagatomo |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 工学部 電気工学科 : 芝浦工業大学 先端工学研究機構 / Department of Electrical Engineering, Shibaura Institute of Technology : Research Organization for Advanced Engineering, Shibaura Institute of Technology / |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 増田 陽一郎 / Yoichiro Masuda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | |
| 発表年月日 | 2000/3/9 |
| 資料番号 | ED99-327,SDM99-220 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 673 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |