| 講演名 | 2000/3/8 ゾルゲル法による強誘電体PZTキャパシタ形成とその分極疲労特性 鈴木 薫, 長澤 豊, 木島 健, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 1T1C型強誘電体メモリは破壊読み出し方式のため、蓄積容量の大きさがメモリ性能に結びつくことになり、まだまだ改善すべき点も多い。本研究では、PZTを用いた薄膜形成においてゾルゲル法による成膜の諸条件を見直し、各種解析及び技術改善に取り組んだ。その結果、成膜条件の最適化や、シード層、減圧アニール等を併用することで、高い分極特性やインプリント特性改善等の問題解決が可能であることが示唆されたので報告する。 |
| 抄録(英) | The 1T1C type ferroelectric memory still needs the improvement of its properties since the amount of the accumulated capacitance decides the memory performance due to the destructive readout operation. In this study, we improved the techniques of the PZT thin film by sol-gel method with reconsidering the process conditions and analyzing by the various methods. We demonstrate the good polarization and imprint properties using optimized anneal conditions, a seed layer and a low pressure annual method. |
| キーワード(和) | 強誘電体メモリ / 強誘電体薄膜 / Pb(Zr_X, Ti_<1-X>)O_3 / ゾルゲル法 |
| キーワード(英) | ferroelectric memory / ferroelectric thin films / Pb(Zr_X, Ti_<1-X>)O_3 / sole-gel method |
| 資料番号 | ED99-323,SDM99-216 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2000/3/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ゾルゲル法による強誘電体PZTキャパシタ形成とその分極疲労特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation and Fatigue Property of Ferroelectric Pb(Zr_x, Ti_<1-X>)O_3 Capacitor by Sol-Gel Method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 強誘電体メモリ / ferroelectric memory |
| キーワード(2)（和/英） | 強誘電体薄膜 / ferroelectric thin films |
| キーワード(3)（和/英） | Pb(Zr_X, Ti_<1-X>)O_3 / Pb(Zr_X, Ti_<1-X>)O_3 |
| キーワード(4)（和/英） | ゾルゲル法 / sole-gel method |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴木 薫 / Kaoru Suzuki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社 技術本部 エコロジー技術開発センター Shape Corporation, Ecological Technology Development Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 長澤 豊 / Yutaka Nagasawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社 技術本部 エコロジー技術開発センター Shape Corporation, Ecological Technology Development Center |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 木島 健 / Ken Kijima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社 技術本部 エコロジー技術開発センター Shape Corporation, Ecological Technology Development Center |
| 発表年月日 | 2000/3/8 |
| 資料番号 | ED99-323,SDM99-216 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 672 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |