| 講演名 | 2000/3/8 エピタキシャルZrN膜/(100)Si基板上に形成したPZT薄膜の強誘電体特性 堀井 貞義, 横山 政司, 堀田 將, |
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| 抄録(和) | スパッタ法により(100)Si基板上にZrN、IrおよびPZT薄膜をそれぞれ順にヘテロエピタキシャル成長させ、その結晶性および電気的特性を評価した。IrおよびZrN薄膜は(100)に、PZT薄膜は(001)に、それぞれ下地に対しcube-on-cubeの関係でヘテロエピタキシャル成長していた。IrO_2上部電極を作製した膜厚300nmのPZT薄膜は5Vで良く飽和したヒステリス特性を示し、その残留分極2Prおよび抗電界2Ecはそれぞれ60uC/cm^2および80kV/cmであった。このPZT薄膜のPrは、±10Vのバイポーラパルスに対し、1×10^<10>まで疲労しなかった。リーク電流密度は、±5Vで2.5×10^<-7>A/cm^2以下であった。 |
| 抄録(英) | ZrN, Ir and PZT films were deposited heteroepitaxially on a (100)Si substrate in sequence by reactive sputtering and we investigated the crystalline and electrical properties of the PZT/Ir/ZrN/Si structure. The Ir and the ZrN films were (100)-oriented and the PZT film was (001)-oriented and the crystallographic relationship between them was a cube-on-cube. The polarization-voltage hysteresis loop of the 300-nm-thick epitaxial PZT film with the top electrode of IrO_2 showed a saturated square shape at the ac amplitude of 5V, and the remanent polarization 2Pr and the coercive field 2Ec were 60uC/cm^2 and 80kV/cm, respectively. The Pr was not reduced up to the switching cycles of 1×10^<10> with ±10V bipolar pulse. The leakage current of the PZT film at ±5V was less than 2.5×10^<-7> A/cm^2. |
| キーワード(和) | Si / ZrN / Ir / PZT / スパッタリング / ヘテロエピタキシャル成長 |
| キーワード(英) | Si / ZrN / Ir / PZT / sputtering / heteroepitaxial growth |
| 資料番号 | ED99-321,SDM99-214 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2000/3/8(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | エピタキシャルZrN膜/(100)Si基板上に形成したPZT薄膜の強誘電体特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Properties of a PZT Film Deposited on an Epitaxial ZrN/Si Substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(2)（和/英） | ZrN / ZrN |
| キーワード(3)（和/英） | Ir / Ir |
| キーワード(4)（和/英） | PZT / PZT |
| キーワード(5)（和/英） | スパッタリング / sputtering |
| キーワード(6)（和/英） | ヘテロエピタキシャル成長 / heteroepitaxial growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 堀井 貞義 / Sadayoshi Horii |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究科 : 国際電気(株)より留学派遣 Japan Advanced Institute of Science and Technology, School of Material Science : Delegated from Kokusai Electric Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 横山 政司 / Seiji Yokoyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究科 Japan Advanced Institute of Science and Technology, School of Material Science |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 堀田 將 / Susumu Horita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究科 Japan Advanced Institute of Science and Technology, School of Material Science |
| 発表年月日 | 2000/3/8 |
| 資料番号 | ED99-321,SDM99-214 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 672 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |