| 講演名 | 2000/2/10 Si-CaF_2及びCdF_2-CaF_2ヘテロ接合を用いたシリコン基板上共鳴トンネルダイオード 渡辺 正裕, 筒井 将史, 浅田 雅洋, |
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| 抄録(和) | シリコン基板上にエピタキシャル成長可能な弗化物系絶縁体弗化カルシウム(CaF_2)及び弗化カドミウム(CdF_2)を用いたヘテロ接合は、その接合界面に2.9eVの伝導帯バンド不連続を有するため、これらの材料で構成した薄膜超格子を用いると、室温においても極めて顕著な微分負性抵抗を示す共鳴トンネルデバイスの実現が期待される。今回我々は、リーク電流抑制のため、CaF_2薄膜のピンホール密度を低減させるための結晶成長技術の改善を行い、Si-CaF_2及びCdF_2-CaF_2二重障壁共鳴トンネルダイオード(DBRTD)を用いた微分負性抵抗特性の評価を行ったところ、特にCaF_2-CdF_2RTDにおいて、室温で10^5を越える Peak to valley ratio(PVR)を得たので報告する。 |
| 抄録(英) | Si-CaF_2 and CdF_2-CaF_2 heterostructures are attractive materials for quantum devices on silicon substrate because of large conduction band discontinuity of 2.9eV at the heterointerface. We have demonstrated room temperature negative differential resistance current-voltage characteristics of double barrier resonant tunneling diode(DBRTD) structures and peak to vally current ratio(PVR) of more than 10^5 has been achieved using CaF_2 partially ionized beam epitaxy and molecular beam epitaxy technique. |
| キーワード(和) | 共鳴トンネルダイオード / シリコン / 弗化カルシウム / 弗化カドミウム / ヘテロ接合 / P/V比 |
| キーワード(英) | Resonant tunneling diode / Silicon / CaF_2 / CdF_2 / Heterostructure / Peak to valley ratio |
| 資料番号 | ED99-316,SDM99-209 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2000/2/10(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si-CaF_2及びCdF_2-CaF_2ヘテロ接合を用いたシリコン基板上共鳴トンネルダイオード |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Resonant Tunneling Diode on Silicon Substrate using Si-CaF_2 and CdF_2-CaF_2 Heterostructures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 共鳴トンネルダイオード / Resonant tunneling diode |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン / Silicon |
| キーワード(3)（和/英） | 弗化カルシウム / CaF_2 |
| キーワード(4)（和/英） | 弗化カドミウム / CdF_2 |
| キーワード(5)（和/英） | ヘテロ接合 / Heterostructure |
| キーワード(6)（和/英） | P/V比 / Peak to valley ratio |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡辺 正裕 / Masahiro Watanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 筒井 将史 / Masafumi Tsutsui |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浅田 雅洋 / Masahiro Asada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2000/2/10 |
| 資料番号 | ED99-316,SDM99-209 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 618 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |