| 講演名 | 2000/2/10 電子ビーム位置制御法によるナノドットアレイ 望月 麻理恵, 山田 聡, 平林 文人, 筒井 一生, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 量子ドットアレイの新しい形成方法として、自然形成的手法と電子ビーム露光技術の利点を合わせ持つ「電子ビーム位置制御法」を開発している。これは、Si基板上にエピタキシャル成長したCaF_2薄膜表面上に収束電子ビームを直接照射し、その後にこの露光位置にGaを自然形成的に選択凝縮してドットアレイを形成する方法である。本報告では、Gaの選択的凝集の機構について検討を加え、電子ビーム照射により堆積する炭素性堆積物がUVオゾン処理により整形され、これが凝集核として働いていることを示した。また、炭素性堆積物からの汚染を避け、かつ、高い選択性を得るために、新たにCaF_2の再成長プロセスを用いる方法を提案し、この方法が有効であることを示した。 |
| 抄録(英) | An "electric beam site control method" is developed as a new approach of quantum dot array fabrication, which has merits of self-assembling method and electron beam techniques. In this method, epitaxial CaF_2 films grown on Si substrates are exposed to an focused electron beam directly, and after that, Ga droplets are spontaneously formed on the exposed sites. It was found that the beam-induced carbonaceous material is deformed by an UV ozone treatment process, and the sharpened small dots of the carbonaceous material play an role of nucleation center of Ga droplets. An other improved process using regrowth of CaF_2, which is expected to provide contamination free and high selectivity, is proposed as well. |
| キーワード(和) | 量子ドットアレイ / 電子ビーム / 位置制御 / CaF_2 / Ga |
| キーワード(英) | quantum dot array / electron beam / site control / CaF_2 / Ga |
| 資料番号 | ED99-314,SDM99-207 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2000/2/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電子ビーム位置制御法によるナノドットアレイ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of nano-dot arrays using the electron beam site control method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドットアレイ / quantum dot array |
| キーワード(2)（和/英） | 電子ビーム / electron beam |
| キーワード(3)（和/英） | 位置制御 / site control |
| キーワード(4)（和/英） | CaF_2 / CaF_2 |
| キーワード(5)（和/英） | Ga / Ga |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 望月 麻理恵 / Marie Mochizuki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山田 聡 / Satoshi Yamada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 平林 文人 / Fumihito Hirabayashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 筒井 一生 / Kazuo Tsutsui |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2000/2/10 |
| 資料番号 | ED99-314,SDM99-207 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 618 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |