| 講演名 | 2000/2/10 AFMリソグラフィーによるIn(Ga)As量子ドットの自己形成位置制御 小山 博道, 井内 義将, 岡田 至崇, 川辺 光央, |
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| 抄録(和) | 我々は、自己形成による量子ドットの位置制御を目的として、GaAs(001)基板上にAFMにより250nmピッチで位置制御された酸化ドット列を作製し(ドットのサイズやピッチは任意に決められる)、それを核としてInAs量子ドットの位置制御を試みた。作製した酸化ドットの上にCaAsを10nm成長すると酸化ドットの真上に楕円形のGaAsの窪みが形成される。その後、InAsを約1ML成長するとInAsはGaAsの窪み内に選択的に成長しドット化する。このことは、酸化ドットを核とすることにより、量子ドットが精密に位置制御できることを意味する。 |
| 抄録(英) | We carried out position control of self-organized InAs quantum dots(QDs), based on oxide dots by AFM nano-oxidation technique on n-GaAs(001) substrates. The growth of thin GaAs layers on oxide dots results in hollows just above their dots with 250 nm pitch. InAs QDs are grown selectively on these hollows. The size of fabricated QDs is about 70 nm and the height is sbout 15nm. By this technique, it is obvious that we can control of InAs QDs' position very well. |
| キーワード(和) | InAs / AFM / 量子ドット / 酸化ドット / ドット位置制御 / リソグラフィー |
| キーワード(英) | InAs / AFM / quantum dot / oxide dot / position control of QDs / lithography |
| 資料番号 | ED99-312,SDM99-205 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2000/2/10(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AFMリソグラフィーによるIn(Ga)As量子ドットの自己形成位置制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Position control of self-organized In(Ga)As quantum dots by AFM lithography |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAs / InAs |
| キーワード(2)（和/英） | AFM / AFM |
| キーワード(3)（和/英） | 量子ドット / quantum dot |
| キーワード(4)（和/英） | 酸化ドット / oxide dot |
| キーワード(5)（和/英） | ドット位置制御 / position control of QDs |
| キーワード(6)（和/英） | リソグラフィー / lithography |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小山 博道 / Hiromichi Koyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 筑波大学 物理工学系 Institute of Applied Physics, University of Tsukuba |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井内 義将 / Yoshimasa Iuchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 筑波大学 物理工学系 Institute of Applied Physics, University of Tsukuba |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岡田 至崇 / Yoshitaka Okada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 筑波大学 物理工学系 Institute of Applied Physics, University of Tsukuba |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 川辺 光央 / Mitsuo Kawabe |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 筑波大学 物理工学系 Institute of Applied Physics, University of Tsukuba |
| 発表年月日 | 2000/2/10 |
| 資料番号 | ED99-312,SDM99-205 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 618 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |