| 講演名 | 2000/2/9 InGaAsおよびInAlAs量子ドットを含む2次元電子チャネル伝導特性 川津 琢也, 野田 武司, 金 勲, 永宗 靖, 堀 真一, 入沢 準也, 榊 裕之, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | GaAs基板上のInAs量子ドットなど10nm級の自己形成量子ドットは、様々なデバイス応用が期待されている。たとえば、メモリや赤外検出器への応用では、量子ドットの電荷状態を電気的又は光学的に変化させ、その時生じるドット近傍のチャネルの伝導率変化が信号検出に用いられる。この種の応用では、量子ドットのチャネルの伝導特性に与える影響を定量評価する必要がある。本研究では、チャネル近傍に各種の量子ドットを埋め込んだ試料を形成し、電子移動度や電子密度に及ぼす効果について調べた。特に、荷電可能なInGaAsドットとInAlAsアンチドットを埋め込んだ試料の対比から、歪による影響や電荷によるクーロン的な作用を別々に評価することを試み、理論的解釈も試みた。 |
| 抄録(英) | 10-nm scale self-assembled quantum dots (QDs) are attravtive materials for various device applications. For example, in memory and detector applications, the electron population in QDs is changed by electronic or photonic methods and the change is detected through the modulation of conductivity of a channel adjacent to QDs. In such applications, the infuluence of QDs on the transport properties of the channel must be quantitatively evaluated. Here, we invastigate several samples where self-assembled QDs are embedded in the vicinity of the channel and studied the mobility and the density of the 2D electrons in the channel. By muestigating transport data for samples with charged InGaAs QDs and those with InAlAs anti-QDs, we study the role of QD-induced strains and Coulomic potential and compare them with theory. |
| キーワード(和) | InGaAs / InAlAs / 量子ドット / 2次元電子 / 移動度 / 単一ヘテロ構造 |
| キーワード(英) | InGaAs / InAlAs / quantum dot / 2 dimensional electron / mobility / single hetero structure |
| 資料番号 | ED99-305,SDM99-198 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2000/2/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InGaAsおよびInAlAs量子ドットを含む2次元電子チャネル伝導特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Transport properties of 2 dimensional electron gas channels with embedded InGaAs or InAlAs quantum dots |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(2)（和/英） | InAlAs / InAlAs |
| キーワード(3)（和/英） | 量子ドット / quantum dot |
| キーワード(4)（和/英） | 2次元電子 / 2 dimensional electron |
| キーワード(5)（和/英） | 移動度 / mobility |
| キーワード(6)（和/英） | 単一ヘテロ構造 / single hetero structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川津 琢也 / Takuya Kawazu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 野田 武司 / Takeshi Noda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 金 勲 / Hoon Kim |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 永宗 靖 / Yasushi Nagamune |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 堀 真一 / Shinichi Hori |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 入沢 準也 / Jyunya Irisawa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 榊 裕之 / Hiroyuki Sakaki |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2000/2/9 |
| 資料番号 | ED99-305,SDM99-198 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 617 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |