| 講演名 | 2000/2/9 InGaAs量子細線FETから明瞭な負性抵抗の観察 金 成珍, 菅谷 武芳, 小倉 睦郎, 杉山 佳延, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 50nmゲート長を有するInGaAs量子細線電界効果トランジスタ(QWR-FET)を電子線描画により作製し、トランジスタ特性を評価したところ明瞭なN-型負性抵抗(NDR)を見出した。負性抵抗の特性はPVR(peak-to-valley current ratio)が高く、なおかつ負性抵抗が起こるドレイン電圧(onset voltage;V_ |
| 抄録(英) | N-shaped negative differential resistance (NDR) with high peak-to-valley current ratio (PVR) and low onset voltage (V_ |
| キーワード(和) | 量子細線 / 負性抵抗 / 実空間遷移 / 電界効果トランジスタ |
| キーワード(英) | Quantum wire / Negative differential resistance / Real space transfer / FET |
| 資料番号 | ED99-304,SDM99-197 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2000/2/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InGaAs量子細線FETから明瞭な負性抵抗の観察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Observation of N-shaped negative differential resistance in InGaAs quantum wire FET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子細線 / Quantum wire |
| キーワード(2)（和/英） | 負性抵抗 / Negative differential resistance |
| キーワード(3)（和/英） | 実空間遷移 / Real space transfer |
| キーワード(4)（和/英） | 電界効果トランジスタ / FET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金 成珍 / S.J. Kim |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所:NEDO:戦略基礎研究/科技団 ETL : NEDO : CREST, Japan Science and Technology Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 菅谷 武芳 / T. Sugaya |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所:戦略基礎研究/科技団 ETL : CREST, Japan Science and Technology Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小倉 睦郎 / M. Ogura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所:戦略基礎研究/科技団 ETL : CREST, Japan Science and Technology Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 杉山 佳延 / Y. Sugiyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所 ETL |
| 発表年月日 | 2000/2/9 |
| 資料番号 | ED99-304,SDM99-197 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 617 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |