| 講演名 | 2000/2/9 集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象 安田 幸夫, 泉川 健太, 酒井 朗, 財満 鎭明, |
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| 抄録(和) | 集束イオンビーム技術を用いてSi MOSFETを作製し、デバイスのクーロンブロッケード現象を観測した。本研究では局所的なビーム障壁となる酸化膜を介してビームを掃引することにより、ナノメータースケールの実効チャネル長を持つ構造を形成した。この素子において、30K以下の低温で、クーロンブロッケードに起因する周期的なコンダクタンス振動を観測した。ゲート電圧(V_g)の振動周期をチャネル長の異なる試料に対して測定した結果、それがチャネル長の増加によって増大することを確認した。これはチャネル長の増加に伴い、ドット径が減少していくことを示唆している。 |
| 抄録(英) | We have fabricated Si MOSFETs using focused-ion beam (FIB) implantation and investigated the Coulomb blockade phenomena in these devices. SiO_2 masks with narrow width were formed on Si substrates and one-dimensional FIB scanning was performed through the masks. This technique allows us to obtain nanomater-scale channnel-length and source/drain structures. Periodic oscillations of conductance, which correspond to the Coulomb blockade oscillations, were observed at temperatures below 30K. The oscillation periods of gate voltage (V_g) were measured for the samples with different channnel length and found to increase as the channel length increased. |
| キーワード(和) | クーロンブロッケード / MOSFET / 集束イオンビーム / 電子線露光 / ECRプラズマエッチング |
| キーワード(英) | Coulomb blockade / MOSFETs / focused-ion beam / e-beam lithography / ECR plasma etching |
| 資料番号 | ED99-291,SDM99-184 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2000/2/9(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Coulomb blockade phenomena in Si MOSFETs with nano-scale channels fabricated by focused-ion beam implantation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | クーロンブロッケード / Coulomb blockade |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFETs |
| キーワード(3)（和/英） | 集束イオンビーム / focused-ion beam |
| キーワード(4)（和/英） | 電子線露光 / e-beam lithography |
| キーワード(5)（和/英） | ECRプラズマエッチング / ECR plasma etching |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 安田 幸夫 / Yukio Yasuda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻 Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 泉川 健太 / Kenta Izumikawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻 Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 酒井 朗 / Akira Sakai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻 Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学先端技術共同研究センター Center for Cooperative Research in Advanced Science and Technology, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2000/2/9 |
| 資料番号 | ED99-291,SDM99-184 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 617 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |