| 講演名 | 2000/2/9 MOVPE選択成長法を用いた単電子デバイスの作製とその回路応用 中島 史人, 本久 順一, 福井 孝志, |
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| 抄録(和) | MOVPE選択成長法を用いて単電子デバイスを作製し、その評価を行った。加工したSiNxマスクを有するGaAs基板にAlGaAs/GaAs変調ドープ構造を成長すると、facetで囲まれた立体構造が形成される。チャネルの一部に凹凸を形成すると、チャネル幅が結晶面で変調される。この部分にゲート電極を形成、負の電圧を印加すると側壁からチャネルが空乏しピンチオフ近傍でドットとトンネルバリアが形成される。極低温にて伝導特性の評価を行った結果、明瞭な単電子トランジスタの特性を確認した。また、可変抵抗と単電子トランジスタを集積化した単電子インバータ回路を作製し、その基本動作を確認した。 |
| 抄録(英) | We fabricated single electron devices by using selective area MOVPE and investigated their transport properties. GaAs/AlGaAs modulation doped heterostructures are grown on a GaAs (001) substrate partially masked with SiNx and narrow channel surrounded by facet sidewalls are formed near the top. The width of the channel is modulated by an appropriate patterning of the mask. By applying negative biases to a gate, a quantum dot connected with quantum wires through tunnel barriers are formed near the pinch-off voltage, as a result of the expansion of depletion layers. We successfully observed clear Coulomb blockade oscillations at low temperatures. We also fabricate logic circuits with an SET and a variable load resistance, and confirmed inverter operations. |
| キーワード(和) | 選択成長 / 単電子トランジスタ / クーロンブロッケード / 単電子回路 / インバータ |
| キーワード(英) | selective area growth / single electron transistor / Coulomb blockade / single electron circuit / inverter |
| 資料番号 | ED99-290,SDM99-183 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2000/2/9(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE選択成長法を用いた単電子デバイスの作製とその回路応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Single-Electron Devices by Selective Area MOVPE and Their Applications to Single-Electron Circuits |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 選択成長 / selective area growth |
| キーワード(2)（和/英） | 単電子トランジスタ / single electron transistor |
| キーワード(3)（和/英） | クーロンブロッケード / Coulomb blockade |
| キーワード(4)（和/英） | 単電子回路 / single electron circuit |
| キーワード(5)（和/英） | インバータ / inverter |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中島 史人 / F. Nakajima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 本久 順一 / J. Motohisa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 福井 孝志 / T. Fukui |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2000/2/9 |
| 資料番号 | ED99-290,SDM99-183 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 617 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |