講演名 2000/1/21
注入改質SOGを用いた高温スパッタAl-Plugプロセス
西村 英孝, 山田 勝雄, 水原 秀樹, 竹川 一之, 井上 恭典, 今井 憲次, 坂東 淳史,
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抄録(和) 高温スパッタAl-Plugプロセスを検討した。本プロセスは低コスト配線技術として注目されていたが、微細化が進むにつれて、SOGを用いた平坦化技術が高温スパッタの阻害要因となってきたため、見捨てられつつある技術である。阻害要因はコンタクト形状と層間膜からの脱ガスである。この問題をイオン注入により改質した有機SOGを用いることで克服し、Aspect Ratio3のビアを安定して埋め込むことに成功した。これにより、0.35μm世代のLSI配線技術として実用化することに成功した。本プロセスは既存装置の改造のみで対応できるので設備投資を抑制できるだけでなく。現在主流となっているW-Plugプロセスに比べて製造工程を削減することができる。また、地球温暖化ガスなどの排出量も削減できるので地球環境にやさしいプロセスである。
抄録(英) In this paper we present an example of high-temperature sputtering Al-Plug process. This technique is being followed with interest as a cost saving process. However, the more continuing to reduce the critical dimensions, SOG planarization process has disturbed the Al-Plug process.The main factor is the out gases from inter-layer SOG film. Therefore Al-plug process has been abandoned. Ion-implanted SOG film deters these gases. As a result, Al-plug process has put into practical use of 0.35 micron generation LSI process. Because Al-plug process can reuse by modifying a standard sputtering system, investment for equipment and utilities has been reduced. To use Al-plug process has made shorten the process flow. In addition, this process is an environment-friendly process because this technique does not use gases that contribute to global warming.
キーワード(和) 高温スパッタ / Al-Plug / イオン注入 / 有機SOG / コスト削減 / 環境にやさしい
キーワード(英) high-temperature sputtering technique / Al-plug / ion-implantation / organic SOG / cost saving / environment-friendly
資料番号 SDM99-181
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2000/1/21(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 注入改質SOGを用いた高温スパッタAl-Plugプロセス
サブタイトル(和)
タイトル(英) High Temperature Sputtering Al-Plug Process with Ion-Implanted SOG Film
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 高温スパッタ / high-temperature sputtering technique
キーワード(2)(和/英) Al-Plug / Al-plug
キーワード(3)(和/英) イオン注入 / ion-implantation
キーワード(4)(和/英) 有機SOG / organic SOG
キーワード(5)(和/英) コスト削減 / cost saving
キーワード(6)(和/英) 環境にやさしい / environment-friendly
第 1 著者 氏名(和/英) 西村 英孝 / H. Nishimura
第 1 著者 所属(和/英) 三洋電機(株)セミコンダクターカンパニー MOS-LSI事業部
MOS-LSI Division, SANYO Electric Co., Ltd.
第 2 著者 氏名(和/英) 山田 勝雄 / K. Yamada
第 2 著者 所属(和/英) 三洋電機(株)セミコンダクターカンパニー MOS-LSI事業部
MOS-LSI Division, SANYO Electric Co., Ltd.
第 3 著者 氏名(和/英) 水原 秀樹 / H. Mizuhara
第 3 著者 所属(和/英) 三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd.
第 4 著者 氏名(和/英) 竹川 一之 / K. Takegawa
第 4 著者 所属(和/英) 三洋電機(株)セミコンダクターカンパニー MOS-LSI事業部
MOS-LSI Division, SANYO Electric Co., Ltd.
第 5 著者 氏名(和/英) 井上 恭典 / Y. Inoue
第 5 著者 所属(和/英) 三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd.
第 6 著者 氏名(和/英) 今井 憲次 / K. Imai
第 6 著者 所属(和/英) 三洋電機(株)セミコンダクターカンパニー MOS-LSI事業部
MOS-LSI Division, SANYO Electric Co., Ltd.
第 7 著者 氏名(和/英) 坂東 淳史 / A. Bando
第 7 著者 所属(和/英) 三洋電機(株)セミコンダクターカンパニー MOS-LSI事業部
Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd.
発表年月日 2000/1/21
資料番号 SDM99-181
巻番号(vol) vol.99
号番号(no) 579
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日