| 講演名 | 2000/1/21 積層AlCu配線の故障メカニズムの考察 星野 和弘, |
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| 抄録(和) | プラグをAlリフロー法で形成したAlCu積層配線の故障メカニズムについて考察した。ビアチェーン抵抗の増加と故障ビアの断面観察の結果、故障モードとして、通常の故障と初期故障に分類した。特に初期故障はビア内にEMによってCuが蓄積された結果、結晶性を持ったAlCuグレインがアノード極側のビアを塞ぐように形成されることで、抵抗が5%程度上昇することが判明した。この抵抗上昇は、ビアの微細化が進むにつれて、故障判定基準によっては深刻な問題になることが示唆される。 |
| 抄録(英) | This paper reports on the electromigration (EM) failure mechanism in AlCu-plugged via holes. Based on an observed increase in the via chain resistance and cross-sectional analysis of the damaged vias, an early failure and a normal failure were identified during the EM tests. The early failure occurred in the Al plug at the cathode side, and was attributed to void growth in the Al plugs during EM. The early increase in resistance caused by CuAl_2 crystal formation at the anode was brought about by using the AlCu via plug. This resistance increase is a serious problem for the small AlCu via connected to long or wide AlCu interconnects. |
| キーワード(和) | エレクトロマイグレーション / AlCu / Alプラグ / OBIRCH |
| キーワード(英) | electromigration / AlCu / Al-plug / OBIRCH |
| 資料番号 | SDM99-180 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2000/1/21(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 積層AlCu配線の故障メカニズムの考察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of Electromigration Failure Mechanism in AlCu-plugged Via Structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | エレクトロマイグレーション / electromigration |
| キーワード(2)（和/英） | AlCu / AlCu |
| キーワード(3)（和/英） | Alプラグ / Al-plug |
| キーワード(4)（和/英） | OBIRCH / OBIRCH |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 星野 和弘 / Kazuhiro Hoshino |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 セミコンダクタカンパニー Semiconductor Company, Sony Corporation |
| 発表年月日 | 2000/1/21 |
| 資料番号 | SDM99-180 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 579 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |