講演名 | 2000/1/21 TaNバリアメタル上のCu/Zrシード層の電気特性と密着性 内堀 千尋, 清水 紀嘉, 中村 友二, |
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抄録(和) | 密着層としてZr層を形成したCu/Zrシード層が低い膜抵抗をもち、TaNバリア層と高い密着性を示す事を見いだした。構造解析と組成分析の結果、熱処理後の試料ではCu/Zr界面とZr/TaN界面で相互拡散や平坦性の乱れが生じていることが明らかになった。このような界面では化学的あるいは物理的結合力が向上するため密着性が向上したと考えられる。熱処理後のCu中へのZrの拡散は微量で、さらにZrがCuの比抵抗に与える影響は小さいためCu/Zrシード層の膜抵抗はZrの形成に依存せず低い値を示した。 |
抄録(英) | A highly adhesive Cu interconnect structure with low resistivity has been developed by inclusion of a Zr glue layer between the Cu and an underlying TaN barrier metal layer. The mechanism of enhancement of the adhesion strength was found to be chemical and mechanical bonding between the layers by forming a thin diffused region and a roughening of both the Cu/Zr and Zr/TaN interfaces. Since the amount of diffused Zr atoms into the Cu layer was small and the effect of Zr on the resistivity of Cu was small, the resistivity of Cu/Zr/TaN was not significantly larger than that of Cu/TaN. |
キーワード(和) | Cu配線 / 密着強度 / バリア膜 / Zr / 密着層 |
キーワード(英) | Cu interconnect / adhesion / barrier layer / Zr / glue layer |
資料番号 | SDM99-179 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2000/1/21(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | TaNバリアメタル上のCu/Zrシード層の電気特性と密着性 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Electrical properties and adhesion of Cu/Zr/TaN layer for Cu metallization |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | Cu配線 / Cu interconnect |
キーワード(2)(和/英) | 密着強度 / adhesion |
キーワード(3)(和/英) | バリア膜 / barrier layer |
キーワード(4)(和/英) | Zr / Zr |
キーワード(5)(和/英) | 密着層 / glue layer |
第 1 著者 氏名(和/英) | 内堀 千尋 / C.J. Uchibori |
第 1 著者 所属(和/英) | 株式会社富士通研究所集積材料研究部 Fujitsu Laboratories Ltd. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 清水 紀嘉 / N. Shimizu |
第 2 著者 所属(和/英) | 株式会社富士通研究所集積材料研究部 Fujitsu Laboratories Ltd. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 中村 友二 / T. Nakamura |
第 3 著者 所属(和/英) | 株式会社富士通研究所集積材料研究部 Fujitsu Laboratories Ltd. |
発表年月日 | 2000/1/21 |
資料番号 | SDM99-179 |
巻番号(vol) | vol.99 |
号番号(no) | 579 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 7 |
発行日 |