| 講演名 | 2000/1/21 電気めっき法による銅配線形成の溝埋め込みプロセスシミュレーション 平沢 茂樹, 斎藤 達之, 山口 日出, |
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| 抄録(和) | 基板上の溝や穴の内部へ電気めっき法による銅膜埋め込みプロセスを数値シミュレーションした。添加剤の抑止作用について5種類のモデル(No.1:添加剤の作用がない場合, No.2:添加剤の付着割合に比例した抑止作用が働く場合, No.3:付着速度に対して指数関数的に抑止作用が働く場合, No.4:添加剤の付着速度に比例した濃度差が生じる場合, No.5:膜内部の成長速度に応じて膜表面の成膜速度が影響される場合)を仮定し, 電位分布と添加剤濃度分布を解き, めっき成膜形状変化を計算した。No.5のモデルは実験結果に最も近く, そのモデルを用いて埋め込み特性に及ぼす溝幅, 深さ, ピッチなどの影響を検討した。その結果, (溝深さ/溝幅)が1以上の時に溝の埋め込み速度が大きくなり, (溝ピッチ/溝幅)が大きいほど埋め込み速度が大きくなり, 穴は2次元溝より埋め込み速度が大きいことがわかった。 |
| 抄録(英) | Changes of copper film profiles in trenches or holes on silicon substrates during electroplating were numerically calculated. Five models of inhibition effects for additives were assumed. Electric potential distributions and concentration distributions of additives in liquid were calculated. The calculation results from a model, which assumed that the surface deposition rates depend on growth rate of the base film till that time, were similar to experimental results. Using the model, the effect of the width, the depth and the pitch of grooves and holes on changes film profiles were calculated. |
| キーワード(和) | 電気めっき / 半導体 / 銅配線 / 形状変化 / 数値計算 / 添加剤 |
| キーワード(英) | Electroplating / Semiconductor / Copper Interconnects / Profile Simulation / Numerical Analysis / Additives |
| 資料番号 | SDM99-178 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2000/1/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電気めっき法による銅配線形成の溝埋め込みプロセスシミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Filling Grooves with Copper for Manufacturing Lines by Electrodeposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電気めっき / Electroplating |
| キーワード(2)（和/英） | 半導体 / Semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | 銅配線 / Copper Interconnects |
| キーワード(4)（和/英） | 形状変化 / Profile Simulation |
| キーワード(5)（和/英） | 数値計算 / Numerical Analysis |
| キーワード(6)（和/英） | 添加剤 / Additives |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 平沢 茂樹 / Shigeki HIRASAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 機械研究所, 茨城県 Mechanical Engineering Research Laboratory, Hitachi, Ltd., Ibaraki |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 斎藤 達之 / Tatsuyuki SAITO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 デバイス開発センタ, 東京都 Device Development Center, Hitachi, Ltd., Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山口 日出 / Hizuru YAMAGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 デバイス開発センタ, 東京都 Device Development Center, Hitachi, Ltd., Tokyo |
| 発表年月日 | 2000/1/21 |
| 資料番号 | SDM99-178 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 579 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |