| 講演名 | 1999/11/19 ArFリソグラフィーにおけるハーフトーン型位相シフトマスクの開発 中澤 啓輔, 松尾 隆弘, 小野寺 俊雄, 宮崎 順二, 岡川 崇, 小川 透, 森本 博明, |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | ArFリソグラフィー / ハーフトーンマスク / 耐光性 / 焦点深度 |
| キーワード(英) | ArF lithography / attenuated phase-shift mask / durability / depth of focus |
| 資料番号 | SDM99-159 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1999/11/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ArFリソグラフィーにおけるハーフトーン型位相シフトマスクの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of attenuated phase-shift mask in ArF lithography |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ArFリソグラフィー / ArF lithography |
| キーワード(2)（和/英） | ハーフトーンマスク / attenuated phase-shift mask |
| キーワード(3)（和/英） | 耐光性 / durability |
| キーワード(4)（和/英） | 焦点深度 / depth of focus |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中澤 啓輔 / Keisuke Nakazawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松尾 隆弘 / Takahiro Matsuo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小野寺 俊雄 / Toshio Onodera |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宮崎 順二 / Junji Miyazaki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岡川 崇 / Takashi Okagawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 小川 透 / Tohru Ogawa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 森本 博明 / Hiroaki Morimoto |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. |
| 発表年月日 | 1999/11/19 |
| 資料番号 | SDM99-159 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 457 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |