| 講演名 | 1999/7/23 Stress in Inter-level Dielectric Oxides on Integrated SBT-based Ferroelectric Memories , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Effects of thermal stress in interlayer dielectrics on the electrical properties of ferroelectric SBT-based capacitor have been investigated. Tetraethylorthosilicate (TEOS) undoped silicon oxide (USG) or/and tetraethylorthosilicate-O_3 (TEOS-O_3) borophosphosilicate glass (BPSG). The electrical properties were measured in the integrated capacitors covered with the dielectrics, after reactive ion etching for contact holes followed by recovery anneal at 700℃ and then Al metallization. The capacitors covered with the single layer of USG show electrically short failure in especially array of small-sized capacitor with a storage node less than 10×10μm^2. Improvement in the electrical properties was achieved through the stress control in dielectric layers using double layers consisting of TEOS-based USG and TEOS-O_3-based BPSG. The stress optimization by means of thickness changes in the dielectric layers results in high enough remanent polarization (>15 μC/cm^2) and low leakage current (<8×10^<-7> A/cm^2) measured at 3V. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | SBT / ferroelectric capacitor / interlayer dielectrics / TEOS / stress |
| 資料番号 | SDM99-114 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1999/7/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Stress in Inter-level Dielectric Oxides on Integrated SBT-based Ferroelectric Memories |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / SBT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Suk-Kyoung Hong |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Ferroelectric Technology Department, Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 1999/7/23 |
| 資料番号 | SDM99-114 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 232 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |