| 講演名 | 1999/7/23 The Etching Behaviors of Pt/SrBi_2Ta_2O_9/NO/Si Structure for MFIS in NDRO-Type FRAM , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We have investigated the etching properties of MFIS structure to fabricate Pt/SBT/NO/Si structure for the transistor gate in MFIS-FET. Etch rates of blanket platinum and SBT films and characterization of etched platinum structures using a patterned PECVD-SiO_2 mask on blanket platinum films were observed. Finally, we observed that etch rates of Pt and SBT and the etch profile were varied with various etch parameters. It was also investigated that the etching damage in SBT films during RIE process influenced on the electrical propelled of ferroelectric materials. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Pt electrode / SBT / etching / remanent polarization / etching profile |
| 資料番号 | SDM99-113 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1999/7/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Etching Behaviors of Pt/SrBi_2Ta_2O_9/NO/Si Structure for MFIS in NDRO-Type FRAM |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Pt electrode |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Won-Jae Lee |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Micro-Electronics Technology Laboratory, ETRI |
| 発表年月日 | 1999/7/23 |
| 資料番号 | SDM99-113 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 232 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |