| 講演名 | 1999/7/23 高誘電率キャパシタ内蔵GaAsRFIC 上田 大助, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | BSTやSTOなどの高誘電率キャパシタを用いた高周波集積回路についてレビューする。実現された高誘電率キャパシタ内蔵GaAsRFICはピン数の少ない小型化パッケージに納めることが可能になる。オンチップ化することで接地が良くなり、利得が向上するとともに消費電力を削減することが可能となる。この技術は低電力化と小型化が最も重要な携帯情報端末などの高周波無線機器に最適なものである。 |
| 抄録(英) | Monolithic integration of high-k capacitors in GaAs RF IC is reviewed. The implemented GaAs RF IC with on-chip high-k capacitor can be packaged in the compact outline with reduced pin counts. These RF IC provides the higher gain performance as well as the lower power dissipation compared to IC without them. The technology is well suited for the mobile communication terminals where lowering the power dissipation and reducing the package size is the key for success. |
| キーワード(和) | BST / STO / MMIC / GaAs / Front-end / RF |
| キーワード(英) | BST / STO / MMIC / GaAs / Front-end / RF |
| 資料番号 | SDM99-107 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 1999/7/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 高誘電率キャパシタ内蔵GaAsRFIC |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaAs RF IC with On-Chip High-k Capacitor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | BST / BST |
| キーワード(2)（和/英） | STO / STO |
| キーワード(3)（和/英） | MMIC / MMIC |
| キーワード(4)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(5)（和/英） | Front-end / Front-end |
| キーワード(6)（和/英） | RF / RF |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 上田 大助 / Daisuke Ueda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部 Compound Semiconductor Research Department Semiconductor Device Research Center, Panasonic |
| 発表年月日 | 1999/7/23 |
| 資料番号 | SDM99-107 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 232 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |