| 講演名 | 1999/7/23 Degradation Behavior in the Remnant Polarization of SrBi_2Ta_2O_9 Thin Films by Hydrogen Annealing and its Recovery by Post-annealing. , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The degradation behavior in the remnant polarization (Pr) of sol-gel-derived SrBi_2Ta_2O_9 (SBT) thin films having Pt top and bottom electrodes by annealing under a 5% H_2/95% N_2 atmosphere is investigated. The hydrogen annealing is performed at temperatures ranging from 250℃ to 480℃. By the annealing, the Pr drops to almost zero for all temperatures. Post-annealing at temperatures higher than 700℃ under an air atmosphere recovers the Pr. Interestingly, the recovery is most ineffective for the sample annealed at the Curie temperature (Tc) of the SBT films. A phenomenological model that explains this anomalous recovery behavior is presented. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM99-97 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1999/7/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Degradation Behavior in the Remnant Polarization of SrBi_2Ta_2O_9 Thin Films by Hydrogen Annealing and its Recovery by Post-annealing. |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Oh Seong Kwon |
| 第 1 著者 所属（和/英） | School of Material Science and Engineering, Seoul National University |
| 発表年月日 | 1999/7/23 |
| 資料番号 | SDM99-97 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 232 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |