| 講演名 | 1999/7/23 Coercive Voltage Shift of a Ferroelectric Capacitor during Interconnect Metal Etch , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Effects of plasma etching on the characteristics of a SrBi_2Ta_2O_9 (SBT) ferroelectric capacitor with Pi electrodes have been investigated. A TiN film was chosen as an interconnecting metal layer and was etched in an electron cyclotron resonance (ECR) etcher with Cl_2/BCl_3 plasma. The control parameters used for our designed experiments of the metal etch process are RF bias power, microwave source power, and pressure. The etching parameters exert little effects on the remanent polarization and coercive voltage of the ferroelectric capacitor. However, they cause a significant voltage shift in the ferroelectric hysteresis loop. It is found that the voltage shift is induced by electron accumulation during the plasma etching. The electron charging effect is studied using antenna structures and the voltage shift is correlated with electron density of the plasma. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | FeRAM / Ferroelectric capacitor / SrBi_2Ta_2O_9 (SBT) / Interconnect metal etch / Plasma-induced charging / Coercive voltage shift |
| 資料番号 | SDM99-93 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1999/7/23(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Coercive Voltage Shift of a Ferroelectric Capacitor during Interconnect Metal Etch |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / FeRAM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Shin Seung Park |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Memory Research and Development Division, Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 1999/7/23 |
| 資料番号 | SDM99-93 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 232 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |