| 講演名 | 1999/7/22 Accurate Extraction of Bias-Dependent MOSFET Parameters for RF Model Applications , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Gate voltage-dependence data of MOSFET model parameters obtained by the RF extraction method based on Z-parameters expressions has been presented. These extracted RF data are shown to be explainable from short-channel or nonquasi-static effects. The gate voltage-dependencies of intrinsic capacitances and conductances for different size of MOSFETs show the linear scaling behavior with a reasonable error in terms of total gate width. This information will be very useful to develop a scalable large-signal model of multi-finger MOSFETs for nonlinear RF IC design. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | MOSFETs / RF IC / MOSFET model / equivalent circuits / parameter extraction / modeling |
| 資料番号 | SDM99-80 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1999/7/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Accurate Extraction of Bias-Dependent MOSFET Parameters for RF Model Applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / MOSFETs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Seonghearn Lee |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Department of Electronic Engineering, Hankuk University of Foreign Studies |
| 発表年月日 | 1999/7/22 |
| 資料番号 | SDM99-80 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 231 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |