| 講演名 | 1999/7/22 ショットキー接触をソース/ドレインに用いたSOI-MOSFETの特性 浅野 種正, 落合 保博, 鹿野 隆頼, |
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| 抄録(和) | PtSiおよびErシリサイド・ショットキー接触をソース/ドレインとしたSOI-MOSFETの特性を調べた。MOSFETはpチャネルおよびnチャネルの双方で動作をすることがわかった。これは、ソースからチャネルへのキャリアの供給がショットキー接触材料の仕事関数およびバイアス条件によって、熱的な放出および内部電界放出の双方で生じるためである。バルク素子と比較してSOI素子は優れた遮断特性を示す。これは遮断電流がドレイン接触での逆方向漏れ電流によって決定され、SOIでは埋め込め酸化膜の存在でドレイン接触の逆方向電界が緩和されるためであることがわかった。SOI-MOSFETはゲート長を0.2μmまで縮少しても、良好な遮断特性を示すことを実験で示した。 |
| 抄録(英) | Characteristics of MOSFETs with Schottky contacts at the source and drain have been investigated. The MOSFETs were fabricated on SOI wafers and bulk Si wafers. PtSi and Er silicide were employed as the contact material to investigate change in characteristic with the Schottky barrier height. It has been found that the MOSFET operates in both n- and p-channel modes, where carriers are injected from the source to the channel either by thermal emission or by internal field emission. The operation mode with these two mechanisms depends on the Schottky barrier height of the contact material. The leakage current of the MOSFET has been found to be determined by the leak current of the reverse biased drain current. SOI-MOSFETs shows superior cutoff characteristic due to the presence of the buried oxide. Shrinkage of the gate length of SOT-MOSFET down to 0.2μm did not result in increase in cutoff leakage. |
| キーワード(和) | ショットキーMOS / SOI-MOSFET / トンネル素子 / 内部電界放出 / Ptシリサイド / Erシリサイド |
| キーワード(英) | Schottky MOS / SOI-MOSFET / tunneling device / field emission / Pt silicide / Er silicide |
| 資料番号 | SDM99-76 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1999/7/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | ショットキー接触をソース/ドレインに用いたSOI-MOSFETの特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristic of Schottky Source/Drain SOI-MOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ショットキーMOS / Schottky MOS |
| キーワード(2)（和/英） | SOI-MOSFET / SOI-MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | トンネル素子 / tunneling device |
| キーワード(4)（和/英） | 内部電界放出 / field emission |
| キーワード(5)（和/英） | Ptシリサイド / Pt silicide |
| キーワード(6)（和/英） | Erシリサイド / Er silicide |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 浅野 種正 / Tanemasa Asano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 落合 保博 / Yasuhiro Ochiai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鹿野 隆頼 / Takayori Shikano |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1999/7/22 |
| 資料番号 | SDM99-76 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 231 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |