| 講演名 | 1999/7/22 サブクオーターミクロンルールのデュアルゲートを伴なったCMOSデバイスに対応したCoサリサイドの開発 角 博文, 末永 淳, 岡本 裕, |
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| 抄録(和) | デュアルゲートCMOSに対応したCoサリサイドモジュールプロセスを開発した。高濃度の不純物を含有させることでゲートの空乏化を制御させていたが、この状態でサリサイドを形成させるとゲート上に形成したCoサリサイドもTiサリサイド同様に抵抗上昇する。我々はこのメカニズムを考察し、高濃度の不純物状態でも低抵抗と低空乏化状態を維持できるCoサリサイドモジュールプロセスを開発した。 |
| 抄録(英) | The salicide module process was improved in order to obtain low uniform sheet resistance in narrow regions of a gate area with high concentration of N^+ or P^+ -type dopant. For dual-gate CMOS application, a low depletion condition of the gate electrode is necessary by the high content of the dopant. However, it is impossible to uniformly reduce the sheet resistance of 71 salicide as well as of Co salicide in the gate. We considered the mechanism of the formation of salicide with low sheet resistance under the condition of a high concentration of doped arsenic. Applying the salicide process with an optimized pretreatment method, low sheet resistance and low depletion condition of the gate were obtained. With a Co/Ti capping process (Ti as a capping layer), thermal stability of the Co salicide (850℃) and low junction leakage currents were obtained. The optimized Co salicide module process is applicable to dual-gate CMOS. |
| キーワード(和) | CoSi_2 / Co/Ti / TiSi_2 / シート抵抗 / 空乏化 / 前処理 |
| キーワード(英) | CoSi_2 / Co/Ti / TiSi_2 / Sheet resistance / Depletion condition / Pretreatment |
| 資料番号 | SDM99-72 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1999/7/22(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | サブクオーターミクロンルールのデュアルゲートを伴なったCMOSデバイスに対応したCoサリサイドの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Uniform and Thermally Stable Co Salicide Formation for Sub-Quarter-micron Dual-Gate CMOS Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CoSi_2 / CoSi_2 |
| キーワード(2)（和/英） | Co/Ti / Co/Ti |
| キーワード(3)（和/英） | TiSi_2 / TiSi_2 |
| キーワード(4)（和/英） | シート抵抗 / Sheet resistance |
| キーワード(5)（和/英） | 空乏化 / Depletion condition |
| キーワード(6)（和/英） | 前処理 / Pretreatment |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 角 博文 / Hirofumi Sumi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ソニー(株) コアテクノロジー&ネットワークカンパニー, SC, CCDシステム事業部, CCD商品部 CCD Busi. Dept., CCD System Division, SC., Core Technol. & Network Company, Sony Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 末永 淳 / Jun Suenaga |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ソニー(株) コアテクノロジー&ネットワークカンパニー, SC, プロセス開発部 Process Development Dept., SC., Core Technol. & Network Company, Sony Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岡本 裕 / Yutaka Okamoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ソニー(株) コアテクノロジー&ネットワークカンパニー, SC, プロセス開発部 Process Development Dept., SC., Core Technol. & Network Company, Sony Corporation |
| 発表年月日 | 1999/7/22 |
| 資料番号 | SDM99-72 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 231 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |