| 講演名 | 1999/7/22 窒素プラズマに照射したSi基板上に形成された酸化膜の熱酸化特性とその信頼性 池田 晃裕, 藤木 千香, 高木 憲一, 黒木 幸令, |
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| 抄録(和) | 窒素プラズマに照射したSi基板上に形成されたSiO_2の熱酸化特性、及びその信頼性について評価を行った。窒素プラズマに照射していないSi基板上に、90秒間の急速熱酸化により110ÅのSiO_2が成長した。一方、軽いプラズマ窒化、または激しいプラズマ窒化を行ったSi基板上にはそれぞれ92Å、61ÅのSiO_2が同様の熱酸化時間に成長した。これらのSiO_2の熱酸化レートの低下は、窒素プラズマの照射により窒素原子がSiO_2界面で酸化反応を抑制した結果に起因すると考えられる。また、窒素プラズマに照射していないSiO_2では-5×10^<-7>A/cm^2、100secの電流ストレスにより-6MV/cmのゲート電界でのトンネル電流は-3A/cm^2から-13.6A/cm^2に増加した。一方、軽くプラズマ窒化したSiO_2は同様の電流ストレスを加えてもトンネル電流の増加は確認されなかった。 |
| 抄録(英) | Thermal oxidation characteristics and reliability of SiO_2 grown on Si exposed to nitrogen plasma were evaluated, 110Å thick SiO_2 was grown with rapid thermal oxidation of 90sec without the nitrogen plasma exposure. While, SiO_2 thickness was 92Å and 61Å for the same thermal oxidation time with lightly and heavily plasma nitridation, respectively. This decreasing of SiO_2 growth rates might be associated to nitrogen atoms incorporated at SiO_2/Si by the nitrogen plasma exposure. For the SiO_2 without the nitrogen plasma exposure, tunneling current at -6MV/cm gate electric field was increased from -3.5A/cm^2 to -13.6A/cm^2 by the current stress of -5×10^<-7>A/cm^2 for 100sec. While, tunneling current was not increased by the same current stress for the lightly nitrided SiO_2. |
| キーワード(和) | プラズマ電流 / 急速熱酸化 / 酸窒化膜 / 信頼性 |
| キーワード(英) | plasma nitridation / rapid thermal oxidation / oxynitride / reliability |
| 資料番号 | SDM99-56 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1999/7/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 窒素プラズマに照射したSi基板上に形成された酸化膜の熱酸化特性とその信頼性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thermal Oxidation Characteristics of Oxide Grown on Si Exposed to Nitrogen Plasma and its Reliability |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | プラズマ電流 / plasma nitridation |
| キーワード(2)（和/英） | 急速熱酸化 / rapid thermal oxidation |
| キーワード(3)（和/英） | 酸窒化膜 / oxynitride |
| キーワード(4)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 池田 晃裕 / Akihiro Ikeda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究科 Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 藤木 千香 / Chika Fujiki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究科 Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高木 憲一 / Kenichi Takagi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究科 Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 黒木 幸令 / Yukinori Kuroki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究科 Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University |
| 発表年月日 | 1999/7/22 |
| 資料番号 | SDM99-56 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 231 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |