| 講演名 | 1999/5/21 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長 飯田 晋, 早川 泰弘, 小山 忠信, 熊川 征司, |
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| 抄録(和) | 溝付きGaAs (111) B基板上にIn_xGa_<1-x>As層を成長させると、溝内部において成長層は溝側面からブリッジ状に横方向成長する。このブリッジ形成機構を調べるために、<110>ラインシード基板上に成長を行った。成長界面に{111} B面を保ちながらSiN_x膜上に横方向成長していくと、成長層は途中からブリッジ状に横方向成長していった。しかし、(111) A面を保ちながら横方向成長した場合はブリッジは形成されなかった。{111} B面と{111} A面が基板上となす角度の違いから、{111} A 面よりも{111} B面は界面近傍の拡散層を激しく屈曲させる。この様なベルグ効果がブリッジの形成に大きく寄与していることが分かった。 |
| 抄録(英) | The In_xGa<1-x> As bridge layers were grown on SiN_x-masked GaAs (111) B substrates with trenches by liquid phase epitaxial method. In order to investigate the formation mechanism of the bridge, InGaAs layer were grown on line-seed substrate alined with <111>.. When InGaAs grew laterally with {111} B plane appeared at growth front, InGaAs formed a bridge. However, when InGaAs grew laterally with {111} A plane appeared at growth front, InGaAs did not form a bridge. This results indicated that Berg effect greatly affected on the formation mechanism of the bridge. |
| キーワード(和) | 液相成長法 / 窒化シリコン膜 / ガリウムひ素基板 / インジウムガリウムひ素 / ブリッジ / ベルグ効果 |
| キーワード(英) | LPE / SiN_x film / GaAs substrate / InGaAs / bridge / Berg effect |
| 資料番号 | SDM99-23 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1999/5/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InGaAs Bridge Growth on Patterned GaAs Substrates by Liquid Phase Epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 液相成長法 / LPE |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化シリコン膜 / SiN_x film |
| キーワード(3)（和/英） | ガリウムひ素基板 / GaAs substrate |
| キーワード(4)（和/英） | インジウムガリウムひ素 / InGaAs |
| キーワード(5)（和/英） | ブリッジ / bridge |
| キーワード(6)（和/英） | ベルグ効果 / Berg effect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 飯田 晋 / S. IIDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 早川 泰弘 / Y. HAYAKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小山 忠信 / T. KOYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 熊川 征司 / M. KUMAGAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 1999/5/21 |
| 資料番号 | SDM99-23 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 68 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |