| 講演名 | 1999/6/25 リング形状の外部ベースにコバルトシリサイドを適用した0.15μm/73GHzfmaxのRF対応BiCMOS技術 鈴木 久満, 吉田 宏, 木下 靖, 藤井 宏基, 山崎 亨, 田代 勉, |
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| 抄録(和) | 本論文ではアナログ/デジタル混載のRF対応0.15μm BiCMOSについて報告する。今回開発に成功した、0.15μm BiCMOSの最大の特徴は、シングルポリシリコン構造のホモ接合のバイポーラトランジスタにおいて、エミッタポリシリ引き出し電極に対し、リング状に形成した外部べ一ス拡散層の表面にコバルトシリサイドを適用した新規なトランジスタ構造を採用し、かつ、外部ベース拡散層の幅を0.1μmと極めて狭く設定することによって、BiCMOSのホモ接合のバイポーラトランジスタでSiGeバイポーラトランジスタ並の73GHzのfmaxを実現した。 |
| 抄録(英) | This paper presents an advanced RF mixed-signal BiCMOS technology. A single-polysilicon bipolar transistor with a high maximum frequency of oscillation (f_ |
| キーワード(和) | バイポーラトランジスタ / CMOS / コバルトシリサイド / BiCMOS / アナログ / デジタル |
| キーワード(英) | Bipolar transistor / CMOS / cobalt silicide / BiCMOS / Analog / Digital |
| 資料番号 | SDM99-49 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1999/6/25(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | リング形状の外部ベースにコバルトシリサイドを適用した0.15μm/73GHzfmaxのRF対応BiCMOS技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 0.15-μm / 73GHz f_ |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | バイポーラトランジスタ / Bipolar transistor |
| キーワード(2)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(3)（和/英） | コバルトシリサイド / cobalt silicide |
| キーワード(4)（和/英） | BiCMOS / BiCMOS |
| キーワード(5)（和/英） | アナログ / Analog |
| キーワード(6)（和/英） | デジタル / Digital |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴木 久満 / Hisamitsu Suzuki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratory, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉田 宏 / Hiroshi Yoshida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratory, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 木下 靖 / Yasushi Kinoshita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratory, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤井 宏基 / Hiroki Fujii |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratory, NEC Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山崎 亨 / Tohru Yamazaki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratory, NEC Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 田代 勉 / Tsutomu Tashiro |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratory, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 1999/6/25 |
| 資料番号 | SDM99-49 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 148 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |