| 講演名 | 1999/6/25 低電圧DRAMに適したプリチャージド・キャパシタ補助・センス方式 河野 隆司, 濱本 武史, 光井 克吉, 小西 康弘, |
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| 抄録(和) | ボルテージダウンコンバータ(VDC)とブーステッドセンスグランド(BSG)方式との組み合わせは携帯端末等に用いられる低電圧(低消費電力)DRAMに適している。 しかし、単にセンス電源電圧を降圧するだけではセンス速度の低下が避けられない。 また、チップのGNDから適度に高められたセンスグランド電圧を通電期間全体に渡ってノイズ耐性を確保しつつ安定的に維持することは極めて困難である。 本論文ではVDCとBSGとの組み合わせにおいて、これらの問題を解決出来るプリチャージド・キャパシタ補助・センス(PCAS)方式と本方式に適したレベル制御回路を提案する。 |
| 抄録(英) | The combination of Voltage-Down-Convertor (VDC) and Boosted Sense Ground (BSG) scheme is suited for the low voltage (low power consumption) DRAM that is used to handheld communication tools. However, the decrease of sense speed is inevitable just to press the sense power voltage. Also, it is extremely difficult to maintain stable BSG level while securing the noise tolerance. This paper proposes a new scheme to solve these problems, called a Precharged-Capacitor-Assisted Sensing (PCAS) scheme. By adopting the scheme, proper voltage level on BLs can be generated stably with faster sense speed without losing advantages of the conventional scheme. |
| キーワード(和) | ボルテージダウンコンバータ / ブーステッドセンスグランド / 低電圧DRAM / デカップル容量 / 電荷転送 / 入力シフタ |
| キーワード(英) | VDC / BSG / low voltage DRAM / precharged decouple capacitor / charge tansfer / input shifter |
| 資料番号 | SDM99-43 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1999/6/25(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低電圧DRAMに適したプリチャージド・キャパシタ補助・センス方式 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Precharged-Capacitor-Assisted Sensing (PCAS) Scheme with Novel Level Controller for Low Power DRAMs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ボルテージダウンコンバータ / VDC |
| キーワード(2)（和/英） | ブーステッドセンスグランド / BSG |
| キーワード(3)（和/英） | 低電圧DRAM / low voltage DRAM |
| キーワード(4)（和/英） | デカップル容量 / precharged decouple capacitor |
| キーワード(5)（和/英） | 電荷転送 / charge tansfer |
| キーワード(6)（和/英） | 入力シフタ / input shifter |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 河野 隆司 / Takashi Kono |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 濱本 武史 / Takeshi Hamamoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 光井 克吉 / Katsuyoshi Mitsui |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小西 康弘 / Yasuhiro Konishi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 1999/6/25 |
| 資料番号 | SDM99-43 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 148 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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