講演名 1994/11/24
Poly-Siの高温アニール効果 : S.G.G
曲 偉峰, 久下沼 信, 正木 裕一, 柿本 芳雄, 北川 章夫, 鈴木 正國,
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抄録(和) ガス炎を用いた高温アニールにより、顕著に(110)や(100)配向したPoly-Si膜のSecondary Grain Growth(S.G.G)を結晶配向の観点から研究した。高温アニールを行うことによりランダム配向や(110)配向の膜では(311)及び(110)面のX-線回折強度が増加し(111)面からの回折強度は増加した。しかし、(100)配向のPoly-Si膜では(100)の回折強度は減少し(111)が減少する場合が多く見られた。このような結果はランダム配向の膜に対して行われた従来のS.G.Gの実験結果と矛盾する部分がある。今回の実験結果に対し、結晶面の表面エネルギーをもとに議論した。
抄録(英) Secondary grain growth(S.G.G)of(110)-or(100)-oriented poly-Si films has been studied using flat gas flame from the viewpoint of crystallographic orientaions.For(110)-oriented and randomly oriented samples,X-ray diffraction intensities of(111)plane increased and those from(311)and(110)planes decreased by annealing at high temperaure.On the other hand,X-ray diffraction of(100) plane increased and(111),(110)and(311)decreased for(100)-oriented samples.These results are not in agreement with those of previous studies.Preferential S.G.G are discussed,based on interface energy consideration.
キーワード(和) ラマンイメージング / 再結晶化シリコン層 / 欠陥検出
キーワード(英) Raman Imaging / Recrystallized silicon layer / Detection of defect
資料番号 SDM94-129
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 1994/11/24(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) Poly-Siの高温アニール効果 : S.G.G
サブタイトル(和)
タイトル(英) Secondary grain growth of poly-Si by high temperature annealing
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ラマンイメージング / Raman Imaging
キーワード(2)(和/英) 再結晶化シリコン層 / Recrystallized silicon layer
キーワード(3)(和/英) 欠陥検出 / Detection of defect
第 1 著者 氏名(和/英) 曲 偉峰 / Weifeng Qu
第 1 著者 所属(和/英) 金沢大学工学部
Department of Electrical and Computer Engineering,Faculty of Technology,Kanazawa University
第 2 著者 氏名(和/英) 久下沼 信 / Makoto Kugenuma
第 2 著者 所属(和/英) 金沢大学工学部
Department of Electrical and Computer Engineering,Faculty of Technology,Kanazawa University
第 3 著者 氏名(和/英) 正木 裕一 / Yuichi Masaki
第 3 著者 所属(和/英) 金沢大学工学部
Department of Electrical and Computer Engineering,Faculty of Technology,Kanazawa University
第 4 著者 氏名(和/英) 柿本 芳雄 / Yoshio Kakimoto
第 4 著者 所属(和/英) 金沢大学工学部
Department of Electrical and Computer Engineering,Faculty of Technology,Kanazawa University
第 5 著者 氏名(和/英) 北川 章夫 / Akio Kitagawa
第 5 著者 所属(和/英) 金沢大学工学部
Department of Electrical and Computer Engineering,Faculty of Technology,Kanazawa University
第 6 著者 氏名(和/英) 鈴木 正國 / Masakuni Suzuki
第 6 著者 所属(和/英) 金沢大学工学部
Department of Electrical and Computer Engineering,Faculty of Technology,Kanazawa University
発表年月日 1994/11/24
資料番号 SDM94-129
巻番号(vol) vol.94
号番号(no) 366
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日