講演名 | 1994/11/24 Poly-Siの高温アニール効果 : S.G.G 曲 偉峰, 久下沼 信, 正木 裕一, 柿本 芳雄, 北川 章夫, 鈴木 正國, |
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抄録(和) | ガス炎を用いた高温アニールにより、顕著に(110)や(100)配向したPoly-Si膜のSecondary Grain Growth(S.G.G)を結晶配向の観点から研究した。高温アニールを行うことによりランダム配向や(110)配向の膜では(311)及び(110)面のX-線回折強度が増加し(111)面からの回折強度は増加した。しかし、(100)配向のPoly-Si膜では(100)の回折強度は減少し(111)が減少する場合が多く見られた。このような結果はランダム配向の膜に対して行われた従来のS.G.Gの実験結果と矛盾する部分がある。今回の実験結果に対し、結晶面の表面エネルギーをもとに議論した。 |
抄録(英) | Secondary grain growth(S.G.G)of(110)-or(100)-oriented poly-Si films has been studied using flat gas flame from the viewpoint of crystallographic orientaions.For(110)-oriented and randomly oriented samples,X-ray diffraction intensities of(111)plane increased and those from(311)and(110)planes decreased by annealing at high temperaure.On the other hand,X-ray diffraction of(100) plane increased and(111),(110)and(311)decreased for(100)-oriented samples.These results are not in agreement with those of previous studies.Preferential S.G.G are discussed,based on interface energy consideration. |
キーワード(和) | ラマンイメージング / 再結晶化シリコン層 / 欠陥検出 |
キーワード(英) | Raman Imaging / Recrystallized silicon layer / Detection of defect |
資料番号 | SDM94-129 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 1994/11/24(から1日開催) |
開催地(和) | |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | Poly-Siの高温アニール効果 : S.G.G |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Secondary grain growth of poly-Si by high temperature annealing |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | ラマンイメージング / Raman Imaging |
キーワード(2)(和/英) | 再結晶化シリコン層 / Recrystallized silicon layer |
キーワード(3)(和/英) | 欠陥検出 / Detection of defect |
第 1 著者 氏名(和/英) | 曲 偉峰 / Weifeng Qu |
第 1 著者 所属(和/英) | 金沢大学工学部 Department of Electrical and Computer Engineering,Faculty of Technology,Kanazawa University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 久下沼 信 / Makoto Kugenuma |
第 2 著者 所属(和/英) | 金沢大学工学部 Department of Electrical and Computer Engineering,Faculty of Technology,Kanazawa University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 正木 裕一 / Yuichi Masaki |
第 3 著者 所属(和/英) | 金沢大学工学部 Department of Electrical and Computer Engineering,Faculty of Technology,Kanazawa University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 柿本 芳雄 / Yoshio Kakimoto |
第 4 著者 所属(和/英) | 金沢大学工学部 Department of Electrical and Computer Engineering,Faculty of Technology,Kanazawa University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 北川 章夫 / Akio Kitagawa |
第 5 著者 所属(和/英) | 金沢大学工学部 Department of Electrical and Computer Engineering,Faculty of Technology,Kanazawa University |
第 6 著者 氏名(和/英) | 鈴木 正國 / Masakuni Suzuki |
第 6 著者 所属(和/英) | 金沢大学工学部 Department of Electrical and Computer Engineering,Faculty of Technology,Kanazawa University |
発表年月日 | 1994/11/24 |
資料番号 | SDM94-129 |
巻番号(vol) | vol.94 |
号番号(no) | 366 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |