| 講演名 | 1994/5/27 3V駆動でアクセス時間100nsの256Kb強誘電体不揮発性メモリ 中根 譲治, 角 辰己, 森脇 信行, 中熊 哲治, 十代 勇治, 上本 康裕, 長野 能久, 林 慎一郎, 吾妻 正道, 藤井 英治, 勝 新一, 大槻 達男, /, |
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| 抄録(和) | 3Vの低電圧動作、100nsの高速動作、3mAの低消費電流と従来比1万倍以上の書き換え回数(10^12>回以上)を実現した256Kbの高集積強誘電体不揮発性メモリを開発した。これは、新たに開発された書き換えによる劣化の極めて少ない新しい強誘電体材料と低電圧で動作し高集積可能な1T1Cセル方式や低消費電流動作のための回路などの新規技術で実現した。 |
| 抄録(英) | A 256Kb nonvolatile memory has been developed that produced a 3V- operation,100ns read, write time,3mA-operation and read/write cycles more than 10,000 times greater than conventional memories(more than 10^12> cycles).This development was achieved through the following new technologies: (1)Newly developed ferroelectric material that does not deteriorate through,read, write cycles.(2)A one-transistor and one- capacitor-per-bit(1T1C)cell that makes possible low voltage operation and high integration.(3)Circuitry for low-power operation. |
| キーワード(和) | 強誘電体 / 不揮発性メモリ / 256Kb FeRAM / 書き換え回数 / 低電圧動作 |
| キーワード(英) | Ferroelectric / Nonvoltile memory / 256Kb ReRAM / read/rite cycles / Low Voltage operation |
| 資料番号 | SDM94-31,ICD94-42 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1994/5/27(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 3V駆動でアクセス時間100nsの256Kb強誘電体不揮発性メモリ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 256Kb Ferroelectric nonvolatile memory technology for IT/IC cell with 100ns read/write time at 3V |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 強誘電体 / Ferroelectric |
| キーワード(2)（和/英） | 不揮発性メモリ / Nonvoltile memory |
| キーワード(3)（和/英） | 256Kb FeRAM / 256Kb ReRAM |
| キーワード(4)（和/英） | 書き換え回数 / read/rite cycles |
| キーワード(5)（和/英） | 低電圧動作 / Low Voltage operation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中根 譲治 / George Nakane |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電子工業 Matsushita Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 角 辰己 / Tatsumi Sumi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電子工業 Matsushita Electronics Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 森脇 信行 / Nobuyuki Moriwaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電子工業 Matsushita Electronics Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中熊 哲治 / Tetsuji Nakakuma |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電子工業 Matsushita Electronics Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 十代 勇治 / Yuji Judai |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電子工業 Matsushita Electronics Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 上本 康裕 / Yasuhiro Uemoto |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 松下電子工業 Matsushita Electronics Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 長野 能久 / Yoshihisa Nagano |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 松下電子工業 Matsushita Electronics Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 林 慎一郎 / Shinichirou Hayashi |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 松下電子工業 Matsushita Electronics Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 吾妻 正道 / Masamichi Azuma |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 松下電子工業 Matsushita Electronics Corporation |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 藤井 英治 / Eiji Fujii |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 松下電子工業 Matsushita Electronics Corporation |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 勝 新一 / Shinichi Katsu |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 松下電子工業 Matsushita Electronics Corporation |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 大槻 達男 / Tatsuro Otsuki |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 松下電子工業 Matsushita Electronics Corporation |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | / / Larry McMillan |
| 第 13 著者 所属（和/英） | シンメトリックス社 Symetrix Corporation |
| 発表年月日 | 1994/5/27 |
| 資料番号 | SDM94-31,ICD94-42 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 73 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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