| 講演名 | 1994/5/27 低電圧フラッシュメモリのワード線ブースト方式と行冗長方式 三原 雅章, 中山 武志, 大川 実, 河井 伸治, 宮脇 好和, 寺田 康, |
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| 抄録(和) | NOR型フラッシュメモリでは過剰消去の問題により冗長回路を行に適用できなかった.行の不良では隣接する2本のワード線のショートが最も多発しているので,この2本を同時に選択して消去前書き込みを行うことで過剰消去の問題を解消し,行冗長の導入を可能にした.また,低電圧動作を保証するために,新しいヒープチャージポンプ回路を用いて,ワード線のブーストを行った.これらの技術を用いて,3.3V動作の16Mbのフラッシュメモリを0.5μmルールで開発した.セルサイズは1.7μm×1.9μm,チップサイズは9.3mm×11.5mm,電源電圧が3.3Vでのアクセスタイムは65nsである. |
| 抄録(英) | A high efficiency charge pump circuit,heap-charge-pump circuit, boosts up the word line voltage high enough for low Vcc operation. Row redundancy scheme utilizing Gray code has substantially improved the yield of NOR-type flash memory. Utilizing these technologies,a 3.3 V operation 16-Mb CMOS flash memory has been designed and fabricated based on 0.5 μm CMOS techn ology.The cell size is 1.7 μm X 1.9 μm and the chip size is 9.3 m m X 11.5 mm.The access time of 65 ns is achieved at 3.3 V Vcc. |
| キーワード(和) | フラッシュメモリ / チャージポンプ回路 / ロード線ブースト / 冗長回路 |
| キーワード(英) | Flash Memory / charge pump circuit / word line boost / redundancy |
| 資料番号 | SDM94-30,ICD94-41 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1994/5/27(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低電圧フラッシュメモリのワード線ブースト方式と行冗長方式 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Work Line Boost and Row-Redundancy Scheme for Flash Memory |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フラッシュメモリ / Flash Memory |
| キーワード(2)（和/英） | チャージポンプ回路 / charge pump circuit |
| キーワード(3)（和/英） | ロード線ブースト / word line boost |
| キーワード(4)（和/英） | 冗長回路 / redundancy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 三原 雅章 / Masaaki Mihara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI開発研究所 ULSI Laboratory,Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中山 武志 / Takeshi Nakayama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI開発研究所 ULSI Laboratory,Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大川 実 / Minoru Ohkawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI開発研究所 ULSI Laboratory,Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 河井 伸治 / Shinji Kawai |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI開発研究所 ULSI Laboratory,Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 宮脇 好和 / Yoshikazu Miyawaki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI開発研究所 ULSI Laboratory,Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 寺田 康 / Yasushi Terada |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI開発研究所 ULSI Laboratory,Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 1994/5/27 |
| 資料番号 | SDM94-30,ICD94-41 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 73 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |