| 講演名 | 1994/5/27 CMOS/SIMOX技術を用いた動作電圧範囲の広いSOI-DRAM 須磨 克博, 鶴田 孝弘, 森下 玄, 日高 秀人, 広瀬 正和, 山口 泰男, 栄森 貴尚, 西村 正, 有本 和民, 藤島 一康, |
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| 抄録(和) | 今回0.5μmデザインルールのCMOS, SIMOX技術を利用してSOI-DRAM(64Kビットのテストデバイス)を厚さ100nmの薄膜SOI基板上に初めて作成しDRAMの基本動作を確認した。アクセスタイムの向上と広い電圧動作範囲で動作可能なので、SOI-SRAMは低電圧駆動で高性能であることが必要な低電圧DRAMに適している。またSOI技術は製造コストを低減する可能性もあることから、SOI-DRAMは1Gビット以降のDRAMとして非常に有望である。 |
| 抄録(英) | An SOI-DRAM test device with 0.5μm CMOS, SIMOX technology is suc cessfully fabricated for the first time.The access time and operating voltage range are improved compared with the reference Bulk-Si DRAM.These enhanced chip performance indicate that the DRAM/SIMOX technology corresponds to one generation ahead of the equivalent DRAM/Bulk-Si technology. |
| キーワード(和) | SOI-DRAM / 部分空乏化トランジスタ / ボディー固定 / フローティング効果 / 低電 圧DRAM |
| キーワード(英) | SOI-DRAM / Partially depleyed T r. / Body contact / Floating body effect / Low voltage DRAM |
| 資料番号 | SDM94-28,ICD94-39 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1994/5/27(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CMOS/SIMOX技術を用いた動作電圧範囲の広いSOI-DRAM |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An SOI-DRAM with Wide Operating Voltage Range by CMOS/SIMOX Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOI-DRAM / SOI-DRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 部分空乏化トランジスタ / Partially depleyed T r. |
| キーワード(3)（和/英） | ボディー固定 / Body contact |
| キーワード(4)（和/英） | フローティング効果 / Floating body effect |
| キーワード(5)（和/英） | 低電 圧DRAM / Low voltage DRAM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 須磨 克博 / Katsuhiro Suma |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI開発研究所 ULSI Laboratory,Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鶴田 孝弘 / Takahiro Tsuruda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI開発研究所 ULSI Laboratory,Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 森下 玄 / Fukashi Morishita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI開発研究所 ULSI Laboratory,Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 日高 秀人 / Hideto Hidaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI開発研究所 ULSI Laboratory,Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 広瀬 正和 / Masakazu Hirose |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大王電機 Daioh Electric Co. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 山口 泰男 / Yasuo Yamaguchi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI開発研究所 ULSI Laboratory,Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 栄森 貴尚 / Takahisa Eimori |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI開発研究所 ULSI Laboratory,Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 西村 正 / Tadashi Nishimura |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI開発研究所 ULSI Laboratory,Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 有本 和民 / Kazutami Arimoto |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI開発研究所 ULSI Laboratory,Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 藤島 一康 / Kazuyasu Fujishima |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 三菱電機北伊丹製作所 Kitaitami Works,Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 1994/5/27 |
| 資料番号 | SDM94-28,ICD94-39 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 73 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
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