| 講演名 | 1994/5/27 動画記憶に適した100MHzシリアル入出力ポートを有する256Mb DRAM 小谷 久和, 赤松 寛範, 内藤 康志, 藤居 豊和, 岩田 徹, 辻 敏明, 藤田 勉, |
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| 抄録(和) | 16MX16ビット構成のシルアル入出力ポートを有し,動画を記憶するのに適した256MビットDRAMを0.25μmCMOS技術を用いて開発した。低電力化を図るために,0.6Vという低電圧で動作するHレベルを抑制したデータ転送方式,リード時1, 2VCC,ライト時VSSでプリチャージする新規プリチャージ方式,アレイ分割動作方式の回路技術を開発した。その結果100MHzの高速動作で従来比52%の73mAの低消費電流を達成した。 |
| 抄録(英) | A 256Mb DRAM with refresh-free-FIFO for storage of moving pictures has been developed using 0.25μm CMOS technology.Operating current is 73mA(reduction of 52% compared with conventional circuit)at 100MHz using(1)a suppressed High(H)-level differential transfer scheme which can be operated at 0.6V,(2)1, 2 VINT and VSS level data-bus pre-charge method,and(3)a divided operation of array circuits for serial access. |
| キーワード(和) | DRAM / 動画記憶 / シルアルアクセス / データ転送 / プリチャージ / リフレッシュ |
| キーワード(英) | DRAM / Storage of Moving Pictures / Serial Access / Data Transfer / Pre-charge / Refresh |
| 資料番号 | SDM94-26,ICD94-37 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1994/5/27(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 動画記憶に適した100MHzシリアル入出力ポートを有する256Mb DRAM |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 256Mb DRAM with 100MHz serial I/O ports for storage of Moving Pictures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | DRAM / DRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 動画記憶 / Storage of Moving Pictures |
| キーワード(3)（和/英） | シルアルアクセス / Serial Access |
| キーワード(4)（和/英） | データ転送 / Data Transfer |
| キーワード(5)（和/英） | プリチャージ / Pre-charge |
| キーワード(6)（和/英） | リフレッシュ / Refresh |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小谷 久和 / Hisakazu Kotani |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業半導体研究センター Semiconductor Research Center,Matsushita Electric Industrial |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 赤松 寛範 / Hironori Akamatsu |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業半導体研究センター Semiconductor Research Center,Matsushita Electric Industrial |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 内藤 康志 / Yasushi Naito |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業半導体研究センター Semiconductor Research Center,Matsushita Electric Industrial |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤居 豊和 / Toyokazu Fujii |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電器産業半導体研究センター Semiconductor Research Center,Matsushita Electric Industrial |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岩田 徹 / Tohru Iwata |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電器産業半導体研究センター Semiconductor Research Center,Matsushita Electric Industrial |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 辻 敏明 / Toshiaki Tsuji |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 松下電器産業半導体研究センター Semiconductor Research Center,Matsushita Electric Industrial |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 藤田 勉 / Tsutomu Fujita |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 松下電器産業半導体研究センター Semiconductor Research Center,Matsushita Electric Industrial |
| 発表年月日 | 1994/5/27 |
| 資料番号 | SDM94-26,ICD94-37 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 73 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
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