| 講演名 | 1994/4/21 プレオキサイドを介した水素終端Si(111)面の初期酸化過程 関川 宏昭, 大石 和明, 野平 博司, 服部 健雄, |
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| 抄録(和) | XPSを用いて測定した水素終端したSi(111)面上に低温熱酸化膜を介して高温で熱酸化膜を形成した場合の熱酸化膜の形成過程の検討と、自然酸化膜を介して高温で熱酸化膜を形成した場合との比較検討を行なった。低温熱酸化膜を介した場合、サブオキサイド総量の変化から急峻なSiO_2, Si界面が形成されることがわかった。また酸化の進行に伴う各種サブオキサイド量の変化から,酸化膜が層状に成長すると推論した。自然酸化膜を介した場合にも酸化膜が層状に成長することを示唆する結果が得られたが、Si^4+>スペクトルの膜厚依存性およびSi^1+>、Si^3+>の周期的変化の現われる膜厚に差がある事が分かった。この違いは、プレオキサイドの構造の違いによるものと考えられるが、この点はさらに詳細な検討が必要である。 |
| 抄録(英) | Periodic changes in SiO_2, Si(111)interface structure with the progress of thermal oxidation of hydrogen-terminated Si(111) surface through preoxide were studied using X-ray photoelectron spectroscopy at temperatures above 600℃.Two kinds of preoxides wer e used in the present study.One was formed in 1 Torr dry oxygen at 300℃.Another was formed in the mixed solution of H_2SO_4 and H_2O_ 2 maintained at 85-90℃. As in the case of thermal oxide formed at 300℃ used as a preoxid e,layer by layer growth of thermal oxide at 600℃ and 800℃ were ob served in the case of native oxide used as a preoxide.Effects of native oxide on the structure of oxide and interface structures are also discussed. |
| キーワード(和) | 高温熱酸化 / 初期酸化過程 / 層状成長 / SiO_2/Si界面 |
| キーワード(英) | thermal oxidation / Initial stage of oxidation / Cayer-by-layer oxidation / SiO_2/i interface |
| 資料番号 | SDM94-2 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1994/4/21(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | プレオキサイドを介した水素終端Si(111)面の初期酸化過程 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Initial Stage of Oxidation of Hydrogen-Terminated Si(111)through Preoxide |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高温熱酸化 / thermal oxidation |
| キーワード(2)（和/英） | 初期酸化過程 / Initial stage of oxidation |
| キーワード(3)（和/英） | 層状成長 / Cayer-by-layer oxidation |
| キーワード(4)（和/英） | SiO_2/Si界面 / SiO_2/i interface |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 関川 宏昭 / Hiroaki Sekikawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 武蔵工業大学 Musashi Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大石 和明 / Kazuaki Ohishi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 武蔵工業大学 Musashi Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野平 博司 / Hiroshi Nohira |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 武蔵工業大学 Musashi Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 服部 健雄 / Takeo Hatori |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 武蔵工業大学 Musashi Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1994/4/21 |
| 資料番号 | SDM94-2 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 11 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |