講演名 | 1998/10/22 アナログ機能記述言語を用いたフラッシュメモリコアセルのシミュレーション 大谷 純一, 佐鳥 謙一, 大岸 毅, 荒川 秀貴, |
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抄録(和) | フラッシュメモリコアセルの動作をアナログ機能記述言語(Spectre-HDL)でモデリングし、現状の回路シミュレーション環境を大幅に変更することなしにフラッシュメモリの回路シミュレーションを可能にした。単体トランジスタの書き込み特性を合わせ込むことによって、2段NAND型メモリセルに関してもWRITE/DISTURBなどのフラッシュメモリの基本的特性を再現できることがわかった。計算量は、メモリセル一つ当たりBSIM3v3.1MOSモデル換算で3個分程度、単体トランジスタにおける計算精度は書き込みが浅い状態を除けば対実測値最大誤差10%以内を実現した。 |
抄録(英) | We have modeled a core cell of the flash memory with Analog-HDL(Spectre-HDL)and migrated it to our circuit simulation environment. Modeling writing characteristics of single memory cell, we can simulate disturbing and/or writing characteristics of 2 transistor NAND structured flash memory. Calculation cost is approximately as three times same as BSIM3v3.1 MOS model. Except lightly written bias range, the model represents within 10% maximum error between single transister writing characteristics and that of simulation. |
キーワード(和) | アナログHDL / フラッシュメモリ |
キーワード(英) | Analog HDL / flash memory |
資料番号 | VLD98-80,ED98-105,SDM98-141,ICD98-211 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 1998/10/22(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | アナログ機能記述言語を用いたフラッシュメモリコアセルのシミュレーション |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | The flash memory core cell simulation with the analog HDL |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | アナログHDL / Analog HDL |
キーワード(2)(和/英) | フラッシュメモリ / flash memory |
第 1 著者 氏名(和/英) | 大谷 純一 / Junichi Ohtani |
第 1 著者 所属(和/英) | ソニーセミコンダクタカンパニー Sony Corporation Semiconductor Company |
第 2 著者 氏名(和/英) | 佐鳥 謙一 / Kenichi Satori |
第 2 著者 所属(和/英) | ソニーセミコンダクタカンパニー Sony Corporation Semiconductor Company |
第 3 著者 氏名(和/英) | 大岸 毅 / Takeshi Ohgishi |
第 3 著者 所属(和/英) | ソニーセミコンダクタカンパニー Sony Corporation Semiconductor Company |
第 4 著者 氏名(和/英) | 荒川 秀貴 / Hideki Arakawa |
第 4 著者 所属(和/英) | ソニーセミコンダクタカンパニー Sony Corporation Semiconductor Company |
発表年月日 | 1998/10/22 |
資料番号 | VLD98-80,ED98-105,SDM98-141,ICD98-211 |
巻番号(vol) | vol.98 |
号番号(no) | 349 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |