| 講演名 | 1998/8/21 ULSI製造対応高性能ウエットクリーンプロセス : パーティクルフリー枚葉式ウエハ洗浄システム 都賀 智仁, 新田 雄久, 三木 正博, 原田 康之, 大見 忠弘, |
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| 抄録(和) | 次世代ULSI製造対応ウエットクリーンプロセスの確立に必須である枚葉式ウエハ洗浄装置において、"パーティクルフリー"の実現は、(1)クリーンなガス及び薬液供給システム(2)クリーンな装置内雰囲気が得られてはじめて可能となる。我々は、その条件を満たした枚葉式洗浄装置の開発に成功し、それを可能とした。また、パーティクル吸着は、Siウエハ表面状態と密接な関係があることがわかった。我々は、この枚葉式洗浄におけるプロセス(室温5ステップUCT洗浄)のステップごとにSiウエハ表面状態をリアルタイムに把握した上で、パーティクル吸着とウエハの表面状態との関係を明らかにし、最適なプロセス条件を見出すことに成功した。 |
| 抄録(英) | The necessary/sufficient conditions to accomplish "Particle Free" on Single Wafer Cleaning System are (1) Clean Gas & Chemical/UPW supplying system (2) Cleaned & Controlled Atmosphere inside chamber. We successfully developed the single wafer cleaning system to satisfy those conditions for "Particle Free". And further, Si surface condition was found to have dependence upon particle adhesion on wafer surface. Si surface condition on each process step (Room temp. 5 steps UCT Clean-up) was made clear at real time, so that the best process condition to accomplish "Particle Free" could be fixed. |
| キーワード(和) | ウエハ洗浄 / 枚葉式洗浄 / 自然酸化膜 / エッチングレート / パーティクル |
| キーワード(英) | Clean-up / Single wafer cleaning equipment / Native oxide / Etching rate / Particle |
| 資料番号 | SDM98-133 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/8/21(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ULSI製造対応高性能ウエットクリーンプロセス : パーティクルフリー枚葉式ウエハ洗浄システム |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Advanced Wet Clean-up process for ULSI Fabrication : Particle Free Single Wafer cleaning system |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ウエハ洗浄 / Clean-up |
| キーワード(2)（和/英） | 枚葉式洗浄 / Single wafer cleaning equipment |
| キーワード(3)（和/英） | 自然酸化膜 / Native oxide |
| キーワード(4)（和/英） | エッチングレート / Etching rate |
| キーワード(5)（和/英） | パーティクル / Particle |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 都賀 智仁 / Toshihito Tsuga |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 : 株式会社UCT開発研究所 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University : Ultraclean Technology Research Institute |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 新田 雄久 / Takahisa Nitta |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社UCT開発研究所 Ultraclean Technology Research Institute |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三木 正博 / Masahiro Miki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社UCT開発研究所 Ultraclean Technology Research Institute |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 原田 康之 / Yasuyuki Harada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社プレテック PRE-TECH Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 発表年月日 | 1998/8/21 |
| 資料番号 | SDM98-133 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 243 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
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