| 講演名 | 1998/8/21 FSAM-MOSFETを用いた高周波パワーアンプ 横山 道央, 森本 明大, 斎藤 哲也, 益 一哉, 坪内 和夫, |
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| 抄録(和) | 素子寸法の微細化がサブ0.1μmの領域に達しているシリコンMOSデバイスの高周波アナログ応用が注目されはじめている。極微細デバイスにおいては、素子の寄生抵抗の増加が高性能化を阻害する要因となっている。本研究では、我々の開発してきた選択Al-CVD技術を用いて素子の寄生抵抗を極力低減する完全自己整合メタライゼーション(Fully Self-Aligned metallization ; FSAM) MOSFETを提案し、その寄生抵抗低減効果を、高周波シミュレーションにより評価した。バッテリー駆動の携帯電話の高効率送信パワーアンプとしてFSAMデバイスが有効である事を報告する。 |
| 抄録(英) | In sub-0.1-um MOSFETs, interconnect parasitics are drastically limitting the performance improvement. we have proposed the FSAM (Fully-Self-Alligned-Metallization) MOSFET using selective Al-CVD for reduction of the parasitic resistances. In this papaer, parasitic resistances in both FSAM and conventional SALICIDE devices are studied from the viewpoint of analog RF application. Simulation results show that FSAm devices are much effective in reduction of parasitic resistances for application to wide-gate GHz-band power amplifiers. |
| キーワード(和) | MOSFET / 寄生抵抗 / 選択Al-CVD / 高周波パワーアンプ |
| キーワード(英) | Miniaturized MOSFET / parasitic resistance / selective Al CVD / RF power amplifier |
| 資料番号 | SDM98-130 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/8/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | FSAM-MOSFETを用いた高周波パワーアンプ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Miniaturized MOSFET with Fully-Self-Aligned Metallization for GHz-band Power Amplifier |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / Miniaturized MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 寄生抵抗 / parasitic resistance |
| キーワード(3)（和/英） | 選択Al-CVD / selective Al CVD |
| キーワード(4)（和/英） | 高周波パワーアンプ / RF power amplifier |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 横山 道央 / M Yokoyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森本 明大 / A. Morimoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 斎藤 哲也 / T. Saito |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 益 一哉 / K. Masu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 坪内 和夫 / K. Tsubouchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 発表年月日 | 1998/8/21 |
| 資料番号 | SDM98-130 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 243 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |