| 講演名 | 1998/8/21 低抵抗bcc-Taゲート完全空乏型SOIMOSデバイス作製技術 大嶋 一郎, 伊野 和英, 牛木 健雄, 河合 邦浩, 大見 忠弘, |
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| 抄録(和) | ゲート電極材料にbcc-Taを用いた完全空乏型SOIMOSデバイスを試作した。Taのスパッタリング成膜時において基板へのイオン照射エネルギー、およびイオン照射量を精密制御し、さらにTa電極の上に連続してアモルファスSiを成膜することにより、従来のβ-Taに比べて抵抗率が2桁低いbcc-Taをゲート酸化膜上に成膜することを可能にした。またTaのスパッタ成膜にXeプラズマを用いることでTaゲートMOSデバイスでもpoly-Siゲートと同等の酸化膜の信頼性がえられた。 |
| 抄録(英) | We present FDSOI MOS technology with low-resisitivity bcc-Ta. Low resistance of 1.7Ω/sq. has been obtained by precisely controlling the ion bombardment conditions during Ta sputtering process, and using Si-encapsulated Silicidation process. By comparing Ta-gate and poly-Si gate MOS devices, it is confirmed that Ta-gate structure does not induce significant degradation in the gate oxide reliability by using Xe plasma sputtering. |
| キーワード(和) | タンタル(Ta) / ミッドギャップ / 閾値制御 / 完全空乏型SOI(FDSOI) / 低温プロセス |
| キーワード(英) | Tantalum (Ta) / Midgap / Threshold Voltage Control / FDSOI / Low Temperature Process |
| 資料番号 | SDM98-129 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/8/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低抵抗bcc-Taゲート完全空乏型SOIMOSデバイス作製技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-Resisitivity bcc-Ta Gate FDSOI MOS Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | タンタル(Ta) / Tantalum (Ta) |
| キーワード(2)（和/英） | ミッドギャップ / Midgap |
| キーワード(3)（和/英） | 閾値制御 / Threshold Voltage Control |
| キーワード(4)（和/英） | 完全空乏型SOI(FDSOI) / FDSOI |
| キーワード(5)（和/英） | 低温プロセス / Low Temperature Process |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大嶋 一郎 / Ichiro Ohshima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 : 東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University : Laboratory for Electric Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊野 和英 / Kazuhide Ino |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 : 東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University : Laboratory for Electric Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 牛木 健雄 / Takeo Ushiki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 : 東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University : Laboratory for Electric Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 河合 邦浩 / Kunihiro Kawai |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 : 東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University : Laboratory for Electric Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学未来科学技術共同研究センター New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University |
| 発表年月日 | 1998/8/21 |
| 資料番号 | SDM98-129 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 243 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |