| 講演名 | 1998/8/20 WF_6-SiH_4系によるWの低温選択成長初期過程 山本 裕司, 松浦 孝, 室田 淳一, |
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| 抄録(和) | 基板加熱型高清浄減圧CVD装置を用いて、約100℃におけるWF_6とSiH_4のSi表面での反応の実験を行い、その反応をXPS及びFT-IR測定により検討した。Ar雰囲気中でのPreheatにより終端水素を脱離させたSi(100)表面にはWF_6は解離吸着し、WF_x(x=0～6)とSi-Fが形成された。一方、希HF処理後のSi-Dihydride表面にはほとんどWF_6は吸着しなかった。すなわち、Si表面の終端水素の脱離がWF_6の吸着を促進することがわかった。また、WF_6とSiH_4の交互導入の実験結果から、SiH_4はWF_xの吸着した表面からFを受け取り何らかのSi系吸着種の形で吸着し、WF_6はそのSi系吸着種を脱離させながら反応すると考えられれる。 |
| 抄録(英) | Reaction of WF_6 and SiH_4 gases on the Si surface at ～100℃ was investigated using an ultraclean cold-wall LPCVD system with analysis by XPS and FT-IR. By supplying only WF_6 onto the hydrogen-desorbed Si (100) surface, which waas prepared by preheating in Ar, dissociative adsorption of WF_6 occurred generating WF_x and Si-F was formed on the Si surface. On the HF-treated Si-dihydride surface, however, a very little adsorption of WF_6 was observed. This means that adsorption of WF_6 is enhanced by hydrogen desorption on the Si surface. Based on the results on the alternate WF_6 and SiH_4 supply experiments, it is proposed that SiH_4 adsorbs on the WF_x-adsorbed surface receiving F from WF_x to become some Si-containing species, and further WF_6 supply causes WF_x adsorption accompanied with desorption of the Si-containing species. |
| キーワード(和) | 表面反応 / CVD / W / 選択成長 / WF_6 / SiH_4 |
| キーワード(英) | Surface Reaction / CVD / W / Selective Growth / WF_6 / SiH_4 |
| 資料番号 | SDM98-122 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/8/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | WF_6-SiH_4系によるWの低温選択成長初期過程 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Initial Reaction in Low-Temperature Selective Growth of W Using WF_6 and SiH_4 Gases |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 表面反応 / Surface Reaction |
| キーワード(2)（和/英） | CVD / CVD |
| キーワード(3)（和/英） | W / W |
| キーワード(4)（和/英） | 選択成長 / Selective Growth |
| キーワード(5)（和/英） | WF_6 / WF_6 |
| キーワード(6)（和/英） | SiH_4 / SiH_4 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山本 裕司 / Yuji Yamamoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松浦 孝 / Takashi Matsuura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 室田 淳一 / Junichi Murota |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 発表年月日 | 1998/8/20 |
| 資料番号 | SDM98-122 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 242 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |