| 講演名 | 1998/8/20 NH_3におよるSi(100)の原子層熱窒化過程 渡辺 健, 櫻庭 政夫, 松浦 孝, 室田 淳一, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | NH_3によるSi(100)の原子層熱窒化過程を研究した。ここで、表面吸着と反応を分離するために、高清浄瞬時加熱LPCVD装置を用いた。基板温度400℃で毎分1回のXeフラッシュ光照射(60J/cm^2)による瞬時加熱をした場合、Si(100)表面のN原子面密度は窒化時間(Xeフラシュ光照射回数)とともに増加し、約2.7x10^<15>cm^-2に飽和する傾向にある。そのNH_3の反応効率は瞬時加熱なしの熱窒化に比べて大幅に増加した。吸着と反応の分離により、Si(100)表面の窒化過程は、ラングミュア型吸着に基づくNH_3の物理吸着とそれに続く反応で定量的に説明できることを見いだした。またXPSにより、瞬時加熱による窒化でも、650℃での熱窒化と同様に表面Si原子のバックボンドへ窒化が進行することが確認された。 |
| 抄録(英) | Atomic-layer nitridation jof Si (100) in NH_3 has been investigated using an ultraclean low pressure cold-wall reactor system with flash heating in order to separate surface adsorption and reaction of HN_3. The N atom concentration (n_N) on Si (100) nitridized at 400℃ in NH_3 with flash heating by light irradiation of 60 J/cm^2 per shot initially increases with nitridation time (Xe flash light irradiation number) and tends to saturate to a certain value (～2.7×10^<15>cm^-2). The reaction efficiency of NH_3 drastically increases as compared to the thermal nitridation without flash heating. By separating adsorption and reaction of NH_3, it is expected that NH_3 physically adsorbs on Si (100) according to Langmuir-type adsorption and then reaction proceeds. It was found by XPS that flash heated nitridation proceeds in the backbond of the surface Si atoms as well as thermal nitridation at 650℃. |
| キーワード(和) | 原子層 / 窒化 / Si / NH_2 / 瞬時加熱 / ラングミュア型 |
| キーワード(英) | atomic-layer / nitridation / Si / NH_3 / flash heating / Langmuir-type |
| 資料番号 | SDM98-121 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 1998/8/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | NH_3におよるSi(100)の原子層熱窒化過程 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Atomic-Layer Thermal Nitridation Process of Si (100) Using NH_3 |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 原子層 / atomic-layer |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化 / nitridation |
| キーワード(3)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(4)（和/英） | NH_2 / NH_3 |
| キーワード(5)（和/英） | 瞬時加熱 / flash heating |
| キーワード(6)（和/英） | ラングミュア型 / Langmuir-type |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡辺 健 / Takeshi WATANABE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 櫻庭 政夫 / Masao SAKURABA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松浦 孝 / Takashi MATSUURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 室田 淳一 / Junichi MUROTA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 発表年月日 | 1998/8/20 |
| 資料番号 | SDM98-121 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 242 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |