| 講演名 | 1998/8/20 SiH_x(CH_3)_<4-x>分子のSi表面吸着過程の赤外反射分光解析 篠原 正典, 庄子 大生, 前濱 剛廣, 赤間 洋助, 庭野 道夫, |
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| 抄録(和) | Si(100)表面へのメチルシランSiH_x(CH_3)_<4-x>の吸着過程を多重内部反射型赤外分光法で"その場"観察した.室温で清浄Si(100)(2x1)表面をメチルシラン分子に曝すと, Siダイマーのダングリングボンドに分子が解離吸着してモノハイドライド, ダイハイドライドやトリハイドライドが生成されることが確かめられた.モノメチルシランの吸着の場合には反射次数が一次と二次の異なる吸着モードがあることが分かった.一次の吸着過程では分子が各々のダイマーのダングリングボンドに解離吸着するが, 二次の吸着反応では表面種-SiH(CH_3)と一対の水素が各々独立に吸着する. |
| 抄録(英) | We have in-situ investigated the adsorption of methylsilane molecules SiH_x (CH_3)_<4-x> on Si (100) using infrared spectroscopy in the multiple internal reflection geometry. When the Si (100) (2xl) surface is exposed at room temperature to methylsilane molecules, the molecules dissociatively adsorb onto the dimer sites to produce hydride species SiH, SiH_2, and SiH_3. For the adsorption of monomethylsilane, we confirm the presence of two adsorption modes with different reaction orders. We suggest that for the first-order adsorption, the molecule dissociatively adsorbs on each dimer, while, for the second-order one, surface species-SiH (CH_3) and a pair of hydrogen atoms adsorb on different dimer sites independently. |
| キーワード(和) | メチルシラン / Si(100)表面 / 解離吸着 / 赤外分光 |
| キーワード(英) | Methylsilane / Si (100) / dissociative adsorption / infared spectroscopy |
| 資料番号 | SDM98-120 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/8/20(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiH_x(CH_3)_<4-x>分子のSi表面吸着過程の赤外反射分光解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Infrared reflection spectroscopy investigation of adsorption of SiH_x(CH_3)_<4-x> on Si surface |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | メチルシラン / Methylsilane |
| キーワード(2)（和/英） | Si(100)表面 / Si (100) |
| キーワード(3)（和/英） | 解離吸着 / dissociative adsorption |
| キーワード(4)（和/英） | 赤外分光 / infared spectroscopy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 篠原 正典 / Msanori Shinohara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 庄子 大生 / Daisei Shoji |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 前濱 剛廣 / Takehiro Maehama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 琉球大学工学部電気電子工学科 Faculty of Engineering, University of the Ryukyus |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 赤間 洋助 / Yosuke Akama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 庭野 道夫 / Michio Niwano |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 発表年月日 | 1998/8/20 |
| 資料番号 | SDM98-120 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 242 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |