| 講演名 | 1998/8/20 NF_3とSi基板の相互作用:密度汎関数法による検討 遠藤 明, 山田 有場, Ammal S.Salai C., 久保 百司, 寺石 和夫, 宮本 明, 北島 正弘, Little Thomas W., Ohuchi Fumio S., |
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| 抄録(和) | Si基板のNF_3によるエッチングプロセスを理解する第一歩として、密度汎関数に基づく量子化学計算を用いNF_3分子とSi表面との相互作用について検討を行った。NF_x(x=1, 2)種やF原子のSi表面への吸着状態、およびF原子がSiのinterstitial siteに取り込まれた状態等を計算したところ、基底状態においてF原子はSiのinterstitial siteには安定に存在できないことが分かった。F原子のチャージが比較的ニュートラルに近い状態であることが実験により示唆されているが、本研究の結果からSi-N-F結合におけるFの負電荷はかなり小さくなることが分かり、実験結果に対応するものと思われる。 |
| 抄録(英) | As a first step to understand the etching process of the Si substrate by NF_3, we carried out density functional quantum chemical calculations to investigate the interaction between NF_3 molecule and the silicon surface. The adsorption states of NF_x (x=1, 2) species and F atom on Si surface and the incorporated states of F atom at the interstitial sites of silicon lattice were studied. As a result, it was found that F atom can not be incorporated at the interstitial sites in the ground state. From experimental data, it is suggested that the change on F atom is relatively close to the neutral state. Our result showed that the negative charge on F atom in Si-N-F moiety was considerable small, which may correspond to experimental findings. |
| キーワード(和) | 密度汎関数量子化学計算 / シリコンエッチングプロセス |
| キーワード(英) | Density functional quantum chemical calculation / Si etching process |
| 資料番号 | SDM98-119 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/8/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | NF_3とSi基板の相互作用:密度汎関数法による検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Interaction between NF_3 and Si substrate : A Density Functional Study |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 密度汎関数量子化学計算 / Density functional quantum chemical calculation |
| キーワード(2)（和/英） | シリコンエッチングプロセス / Si etching process |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 遠藤 明 / Akira Endou |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山田 有場 / Aruba Yamada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | Ammal S.Salai C. / S.Salai C. Ammal |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 久保 百司 / Momoji Kubo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 寺石 和夫 / Kazuo Teraishi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 宮本 明 / Akira Miyamoto |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 北島 正弘 / Masahiro Kitajima |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 金属材料技術研究所 National Research Institute for Metals |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | Little Thomas W. / Thomas W. Little |
| 第 8 著者 所属（和/英） | University of Washington University of Washington |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | Ohuchi Fumio S. / Fumio S. Ohuchi |
| 第 9 著者 所属（和/英） | University of Washington University of Washington |
| 発表年月日 | 1998/8/20 |
| 資料番号 | SDM98-119 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 242 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |