| 講演名 | 1998/8/20 Tight-binding分子動力学法を用いたSi表面の酸化過程におけるSiOの脱離挙動 山田 有場, 遠藤 明, 高羽 洋充, 寺石 和夫, 久保 百司, S.Sslai.C. Ammal, 宮本 明, 北島 正弘, |
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| 抄録(和) | MOSデバイスの高集積化に伴い、Siの表面酸化反応を原子レベルで制御する必要がある。Siの酸化反応は、温度や圧力に依存し、表面温度900K以下ではSiO_2膜を生成し900K以上では気相にSiO分子を生成脱離することが知られている。近年、酸素分子線散乱の実験によりSi表面から生成脱離するSiO分子の振動回転分布が報告され、熱平衡状態で脱離することがわかった。本研究では、電子状態の計算に拡張Huckel近似を用いるTight-binding分子動力学法(TBMD)を用いて、高温でのSiO脱離プロセスについて動的挙動の解析を行い実験と比較検討した。 |
| 抄録(英) | In order to fabricate more integrated MOS devices, it is necessary to control oxidation reactions mof Si surface on an atomic level. It is well known that the oxidation reaction of Si surface greatly depends on the temperature and pressure. At the low temperature (T<900K) SiO_2 film is formed and the high temperature (T>900K) leads to SiO gas formation. Recently Kitajima et al. reported the vibrational and rotational distribution of desorbed SiO molecule from the Si surface and elucidated that SiO molecule desorbed at thermal equilibrium state. In this study we applied our tight-binding molecular dynamics code to investigate the dynamics of SiO desorption process from the Si surface. |
| キーワード(和) | Tight-binding分子動力学法 / SiO脱離 |
| キーワード(英) | Tight-binding molecular dynamics / SiO desorption |
| 資料番号 | SDM98-118 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/8/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Tight-binding分子動力学法を用いたSi表面の酸化過程におけるSiOの脱離挙動 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Tight-binding Molecular Dynamics Simulation on the Desorption Process of SiO Molecule during the Oxidation of Si Surface |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Tight-binding分子動力学法 / Tight-binding molecular dynamics |
| キーワード(2)（和/英） | SiO脱離 / SiO desorption |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山田 有場 / Aruba Yamada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 遠藤 明 / Akira Endou |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高羽 洋充 / Hiromitsu Takaba |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 寺石 和夫 / Kazuo Teraishi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 久保 百司 / Momoji Kubo |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | S.Sslai.C. Ammal / S.Salai C. Ammal |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 宮本 明 / Akira Miyamoto |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 北島 正弘 / Masahiro Kitajima |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 金属材料技術研究所 National Research Institute for Metals |
| 発表年月日 | 1998/8/20 |
| 資料番号 | SDM98-118 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 242 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |