| 講演名 | 1998/8/20 シリカ表面への希ガス照射過程に関する分子動力学的検討 三浦 隆治, 小野津 崇之, / 久保 百司, 寺石 和夫, 宮本 明, 斉藤 祐司, 海原 竜, 関根 克行, 平山 昌樹, 大見 忠弘, |
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| 抄録(和) | 半導体素子の高密度化に欠かせない低温シリコン酸化プロセスを実現する希ガスイオン照射過程について、分子動力学(MD)法とコンピューターグラフィックス(CG)による理論的研究を行った。計算モデルにはアモルファスシリカに各種運動エネルギーをもつアルゴン原子を照射する系を用いた。特に照射過程での原子の温度分布を解折するための独自の計算プログラムを用いることで、照射エネルギーの基板表面動的伝達過程に関する知見を得ると共に、このような照射系へのMD計算手法の有効性を確認した。また、照射の前後でアルゴンはそのエネルギーのほとんどをシリカ側に伝えていることが示唆された。 |
| 抄録(英) | Low-temperature Si oxidation is an important technology for the fabrication of the miniaturized semiconductor devices. Recently, inert gas ion irradiation process has attracted much attention as the solution for this subject. We have applied computational chemistry techniques, such as molecular dynamics (MD) and computer graphics (CG) to study the irradiation process of AR atom on amorphous-SiO_2 surface, and demonstrated the applicability of MD simulation and observed the activation process of amorphous-SiO_2 surface with Ar irradiation. We also observed that almost all the irradiation energy were conducted to the substrates after bombardment process. |
| キーワード(和) | シリコン酸化 / 希ガス照射 / 分子動力学法 / コンピューターグラフィックス |
| キーワード(英) | Si Oxidation / Inert Gas Irradiation / Molecular Dynamics / Computer Graphics |
| 資料番号 | SDM98-116 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/8/20(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シリカ表面への希ガス照射過程に関する分子動力学的検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Molecular Dynamics Study of Inert Gas Irradiation Process on SiO_2 Surface |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン酸化 / Si Oxidation |
| キーワード(2)（和/英） | 希ガス照射 / Inert Gas Irradiation |
| キーワード(3)（和/英） | 分子動力学法 / Molecular Dynamics |
| キーワード(4)（和/英） | コンピューターグラフィックス / Computer Graphics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 三浦 隆治 / Ryuji Miura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻 Department of Materials Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小野津 崇之 / Takayuki Onozu |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻 Department of Materials Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | / 久保 百司 / S. Salai Cheettu Ammal |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻 Department of Materials Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 寺石 和夫 / Momoji Kubo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻 Department of Materials Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 宮本 明 / Kazuo Teraishi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻 Department of Materials Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 斉藤 祐司 / Akira Miyamoto |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科材料化学専攻 Department of Materials Chemistry, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 海原 竜 / Yuji Saito |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 関根 克行 / Ryu Kaihara |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 平山 昌樹 / Katsuyuki Sekine |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 大見 忠弘 / Masaki Hirayama |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 発表年月日 | 1998/8/20 |
| 資料番号 | SDM98-116 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 242 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |