| 講演名 | 1998/8/20 高密度プラズマを用いたシリコン直接窒化膜の低温形成 関根 克行, 斉藤 祐司, 平山 昌樹, 大見 忠弘, |
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| 抄録(和) | 低イオン照射エネルギー(<7eV)・高密度プラズマ(>10^12cm^-3)を用いて、シリコン表面の直接窒化を基板温度430℃で実現した。プラズマ中のN^+_2イオンの生成をモニタし、最適化することにより、化学量論比(N/Si=1.33)のシリコン窒化膜が基板温度430℃で得られた。さらに、シリコン窒化膜中のトラップに起因するC-VカーブのヒステリシスをAr/N_2プラズマ中に水素を添加し、シリコン窒化膜中のトラップを水素で終端することにより、完全に無くせることを明らかにした。 |
| 抄録(英) | Direct nitridation of silicon surface can be realized at a temperature as low as 430℃ by using high-density plasma above 10^12cm^-3 featuring low ion bombardment energy below 7eV. This study results that stoichiometric silicon nitride can be obtained for the first time at a temperature of 430℃ by precise control of the nitrogen partial pressure to generate N^+_2 in plasma. Moreover, hysteresis of C-V curve attributed to charge traps in silicon nitride film can be reduced dramatically with adding hydrogen to Ar/N_2 plasma for terminating dangling bond with hydrogen. |
| キーワード(和) | シリコン窒化膜 / 高密度プラズマ / イオン照射 / ゲート絶縁膜 |
| キーワード(英) | Silicon Nitride / High-Density Plasma / Ion Bombardment / Gate Insulator |
| 資料番号 | SDM98-115 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/8/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高密度プラズマを用いたシリコン直接窒化膜の低温形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Direct Nitridation of Silicon Surface at Ultra-Low-Temperature by High-Density Plasma |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン窒化膜 / Silicon Nitride |
| キーワード(2)（和/英） | 高密度プラズマ / High-Density Plasma |
| キーワード(3)（和/英） | イオン照射 / Ion Bombardment |
| キーワード(4)（和/英） | ゲート絶縁膜 / Gate Insulator |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 関根 克行 / Katsuyuki Sekine |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 斉藤 祐司 / Yuji Saito |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 平山 昌樹 / Masaki Hirayama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学未来科学技術共同開発センター New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University |
| 発表年月日 | 1998/8/20 |
| 資料番号 | SDM98-115 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 242 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |