| 講演名 | 1998/8/20 高密度プラズマによる高品質シリコン直接酸化技術 海原 竜, 平山 昌樹, 大見 忠弘, |
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| 抄録(和) | 新たに開発したイオン照射エネルギが7eV以下と非常に低い高密度プラズマ源を用いてシリコンの直接低温酸化を430℃という低温でおこなった。得られた酸化膜の絶縁耐圧は15.8MV/cm、Q_BD値は12C/cm^2と従来の高温酸化によるものに匹敵する膜質を有していることを電気的特性により明らかにした。また、プラズマを用いた酸化では酸素原子の励起が重要であり、酸化膜の膜質は成膜時の励起酸素原子に大きく依存し、Heを用いることで酸素原子の励起を促進することができ、成膜した酸化膜の膜質を向上できることを明らかにした。 |
| 抄録(英) | High-integrity thin silicon dioxide (SiO_2) can be obtained at a temperature of 430℃ by a new high-density plasma source. The plasma source is characterized by very low ion bonbardment energy and excellent uniformity. The breakdown field (E_BD) of 15.8MV/cm and change-to-breakdown value (Q_BD) of 12.8C/cm^2 under constant current stress of 0.1A/cm^2 (substrate injection) were acheived by the He/O_2 plasma. These electrical properties were equivalent to those of thermal oxide film grown at a temperature of 900℃. |
| キーワード(和) | 高密度プラズマ / 低温酸化 / 低エネルギイオン照射 / ヘリウムプラズマ |
| キーワード(英) | High-density Plasma / Low temperature oxidation / low ion bombardment energy / He plasma |
| 資料番号 | SDM98-114 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/8/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高密度プラズマによる高品質シリコン直接酸化技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Excellent Silicon Dioxide Formation by High-Density Plasma |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高密度プラズマ / High-density Plasma |
| キーワード(2)（和/英） | 低温酸化 / Low temperature oxidation |
| キーワード(3)（和/英） | 低エネルギイオン照射 / low ion bombardment energy |
| キーワード(4)（和/英） | ヘリウムプラズマ / He plasma |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 海原 竜 / Ryu Kaihara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平山 昌樹 / Masaki Hirayama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学未来科学技術共同開発センター New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University |
| 発表年月日 | 1998/8/20 |
| 資料番号 | SDM98-114 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 242 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |