| 講演名 | 1998/12/10 4端子MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果 水川 信之, 松永 宏治, 平井 貞喜, 大鉢 忠, 谷口 一郎, |
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| 抄録(和) | チャネル-基板間(実際はソース-基板間)に電圧V_CBを加えた4端子MOSFETに横方向磁界を加えたときの磁気抵抗効果を評価するため, 基板に対して平行相対感度S_RDと垂直相対感度S_RTを定義して, 両者の相関関係を求めた.S_RDは3端子MOSFETの平行方向にあるチャネル内の動作に対応し, V_CBに比例している.S_RTは垂直方向にあるpn接合逆方向における空乏層内のキャリア移動度に依存しており, V_CBに反比例する.また, 両者の相対感度の積は, 平行方向のチャネル内のキャリア移動度と垂直方向の空乏層内のキャリア移動度の積に相当することが明らかとなった.基板の抵抗率を低くすることで相対感度が向上することを示し, それぞれの相対感度の最大値はS_RD=0.13[T^-1], S_RT=0.41[T^-1]であった. |
| 抄録(英) | To evaluate the magnetoresistance effect of a four terminal MOSFET in ducedby bias voltage V_CB between the n-channel and the substrate(i.e.betwe enthesource and the substrate)with parallel magnetic field to a substrate, relative lateral sensitivity S_RD and relative vertical sensitivity S_RT were defined. Correlation between these two sensitivities was examined. In the four terminal MOSFET, S_RD depends on the operation of a three terminal MOSFET and S_RT depends on the carrier mobility of the depletion layer. The product of the two sensitivities is equal to that of the carrier mobilities in the n-channel and the depletion layer. It is experimentally that the relative sensitivities become higher when the resistivity of the substrate is lower. The maximum value of S_RD was 0.13[T^-1]andthatof S_RT was 0.41[T^-1]. |
| キーワード(和) | 4端子MOSFET / 磁気抵抗効果 / 相対感度 / 抵抗率 / キャリア移動度 |
| キーワード(英) | four terminal MOSFET / magnetoresistance effect / relative sensitivity / resistivity / carrier mobility |
| 資料番号 | SDM98-183 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/12/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 4端子MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Magnetoresistance Effect of Four Terminal MOSFET Induced by Lateral Magnetic Field |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4端子MOSFET / four terminal MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 磁気抵抗効果 / magnetoresistance effect |
| キーワード(3)（和/英） | 相対感度 / relative sensitivity |
| キーワード(4)（和/英） | 抵抗率 / resistivity |
| キーワード(5)（和/英） | キャリア移動度 / carrier mobility |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 水川 信之 / Nobuyuki MIZUKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 同志社大学工学部電気工学科 Department of Electrical Engineering, Doshisha University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松永 宏治 / Koji MATSUNAGA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 同志社大学工学部電気工学科 Department of Electrical Engineering, Doshisha University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 平井 貞喜 / Sadayoshi HIRAI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 同志社大学工学部電気工学科 Department of Electrical Engineering, Doshisha University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大鉢 忠 / Tadashi OHACHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 同志社大学工学部電気工学科 Department of Electrical Engineering, Doshisha University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 谷口 一郎 / Ichiro TANIGUCHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 同志社大学工学部電気工学科 Department of Electrical Engineering, Doshisha University |
| 発表年月日 | 1998/12/10 |
| 資料番号 | SDM98-183 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 445 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |