| 講演名 | 1998/12/10 デカボランイオン注入による損傷の形成とその増速拡散への影響 草場 拓也, 瀬木 利夫, 青木 学聡, 松尾 二郎, 加勢 正隆, 後藤 賢一, 杉井 寿博, 山田 公, |
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| 抄録(和) | 低エネルギーデカボランイオン注入における損傷の形成とその増速拡散への影響について検討をおこなった。デカボランの注入エネルギーの低下に伴い、増速拡散は抑制される。また、3keVのデカボランイオン注入においてドーズ量1×10^14～10^15atoms/cm^2の範囲では、基板表面近傍にアモルファス層が形成されているために、拡散距離は注入ドーズ量に依存しないことが明らかとなった。さらに、デカボランイオン注入においては、実効注入エネルギーの等しい単原子ボロンよりも多くの損傷を形成できることが分かった。約65%の注入効率が得られることが明らかとなった。 |
| 抄録(英) | It is discussed that damage formation and enhanced diffusion by decaborane ion implantation. In the case of 900℃ annealing, TED was suppressed as the implant energy decreased. During annealing at 900°, 950℃ and 1000℃, the diffusion of boron atoms did not depend on implant dose at the dose of 1×10^14-10^15 atoms/cm^2. This is because an amorphous layer is already formed near the surface at these range in the case of decaborane ion implantation at 3keV. The efficiency of ion implantation is 65% in the case of ultra low energy decaborane ion implantation at 200eV/atom. |
| キーワード(和) | デカボラン(B_10H_14) / 浅い接合 / イオン注入 / クラスター / 増速拡散(TED) |
| キーワード(英) | decaborane(B_10H_14) / shallow junction / ion implantation / cluster / transient enhanced diffusion(TED) |
| 資料番号 | SDM98-182 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/12/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | デカボランイオン注入による損傷の形成とその増速拡散への影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Damage formation and enhanced diffusion by decaborane ion implantation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | デカボラン(B_10H_14) / decaborane(B_10H_14) |
| キーワード(2)（和/英） | 浅い接合 / shallow junction |
| キーワード(3)（和/英） | イオン注入 / ion implantation |
| キーワード(4)（和/英） | クラスター / cluster |
| キーワード(5)（和/英） | 増速拡散(TED) / transient enhanced diffusion(TED) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 草場 拓也 / T. Kusaba |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科付属イオン工学実験施設 Ion Beam Engineering Experimental Laboratory, Faculty of Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 瀬木 利夫 / T. Seki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科付属イオン工学実験施設 Ion Beam Engineering Experimental Laboratory, Faculty of Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 青木 学聡 / T. Aoki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科付属イオン工学実験施設 Ion Beam Engineering Experimental Laboratory, Faculty of Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松尾 二郎 / J. Matsuo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科付属イオン工学実験施設 Ion Beam Engineering Experimental Laboratory, Faculty of Engineering, Kyoto University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 加勢 正隆 / M. Kase |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通(株)ULSI開発部 ULSI Development Division, Fujitsu Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 後藤 賢一 / K. Goto |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 杉井 寿博 / T. Sugii |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 山田 公 / I. Yamada |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科付属イオン工学実験施設 Ion Beam Engineering Experimental Laboratory, Faculty of Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 1998/12/10 |
| 資料番号 | SDM98-182 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 445 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |