| 講演名 | 1998/12/10 シリコンへのジボランイオン注入における水素分子イオンのボロン分布への影響 横田 勝弘, 西村 英敏, 寺田 耕一郎, 中村 和広, 酒井 滋樹, 丹上 正安, 高野 弘道, 熊谷 正夫, |
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| 抄録(和) | ジボランを水素で稀釈した混合ガスをイオンソースとして用いて、非質量分離型のイオン注入器で、ボロンと水素が同時にシリコンにイオン注入された。注入直後のシリコン中のボロンの注入分布の分散は、主にジボランから分解した水素によって大きくなったけれども、稀釈に使った水素の量が増加しても大きくなった。熱処理後のシリコン中のボロン原子の拡散は、顕著に稀釈に使った水素量の増加と共に抑制された。さらに、ボロンの活性化は、ボロン原子の拡散より顕著に水素の量に依存し、水素の量の増加と共に浅い領域でしか活性化しなかった。なお、水素は熱処理されたシリコン中には残存していなかった。 |
| 抄録(英) | Ion species which were produced using diborane diluted with hydrogen were implanted into silicon using an ion-implantor without mass-filters. The distribution straggle of B atoms produced by dissociation of molecular ions at the silicon surface increased with the dose of hydrogen used for diluting diborane although it was dominated by hydrogen dissociated from diborane ions. During annealing for restoring silicon crystalline lattices distroyed by the ion-implantation, the diffusion of the implanted B atoms into silicon was suppressed depending on the dose of hydrogen. The activation of the B atoms depended strongly on the dose of hydrogen on comparison with the diffusion of the B atoms:the carrier concentration profiles became shallower than the B atom concentration profiles. Much of H atoms were effused fron the silicon into atmosphere during the annealing. |
| キーワード(和) | シリコン / ボロン / イオン注入 / ジボラン / 水素 / 拡散 / 活性化 |
| キーワード(英) | Silicon / Boron / Ion-Implantation / Diborane / Hydrogen / Diffusion / Activation |
| 資料番号 | SDM98-181 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1998/12/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シリコンへのジボランイオン注入における水素分子イオンのボロン分布への影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Boron Distribution in Silicon Depending on Hydrogen Dose on (B_2H_6+H_2)Ion Implantation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン / Silicon |
| キーワード(2)（和/英） | ボロン / Boron |
| キーワード(3)（和/英） | イオン注入 / Ion-Implantation |
| キーワード(4)（和/英） | ジボラン / Diborane |
| キーワード(5)（和/英） | 水素 / Hydrogen |
| キーワード(6)（和/英） | 拡散 / Diffusion |
| キーワード(7)（和/英） | 活性化 / Activation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 横田 勝弘 / Katsuhiro Yokota |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 関西大学工学部 High Technology Research Center and Faculty of Engineering, Kansai University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 西村 英敏 / Hidetoshi Nishimura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 関西大学工学部・HRC Faculty of Engineering, Kansai University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 寺田 耕一郎 / Kouchirou Terada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 関西大学工学部・HRC Faculty of Engineering, Kansai University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中村 和広 / Kazuhiro Nakamura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 関西大学工学部 High Technology Research Centerand Faculty of Engineering, Kansai University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 酒井 滋樹 / Sigeki Sakai |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日新電機 Nissinn Electric Co., |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 丹上 正安 / Masayasu Tanjou |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日新電機 Nissinn ElectricCo., |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 高野 弘道 / Hiromiti Takano |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 神奈川高度技術支援財団 Kanagawa High Technology Foundation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 熊谷 正夫 / Masao Kumagaya |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 神奈川高度技術支援財団 Kanagawa High Technology Foundation |
| 発表年月日 | 1998/12/10 |
| 資料番号 | SDM98-181 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 445 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |